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论文题目:
培养院系:信息技术科学学院
一级学科:电子科学与技术
二级学科:微电子学与固体电子学
论文作者:孙勇
指导老师:耿卫东教授
南开大学研究生院
2009年10月
mII11qlI Ill11111111111111111111l
摘要
摘要
超宽带(UWB)通讯技术与其他通讯技术相比,具有信号功率谱密度低、
系统结构简单等优点,适合于密集多径空间的无线高速接入,在军事、家庭无
线网络、无线视频分发等领域具有广阔的应用前景,因此超宽带系统的射频及
通信集成电路的研究具有重要的现实意义.低噪声放大器(LNA)是无线通讯
收发器的关键电路,对于超宽带通讯系统,低噪声放大器的增益、噪声、线性
度等性能指标会直接影响通讯系统的性能。实现低噪声放大器的工艺有多种,
其中SiGe和AsGa具有突出的高频电路特性,目前市场上大多采用这种技术,
而CMOS低噪声放大器低成本、低功耗的特点能够使现代无线通讯设备更加微
型化,成本和功耗更低,是目前超宽带低噪声放大器的主要发展方向之一。所
以研究超宽带CMOS低噪声放大器意义重大.
本文分析了超宽带通信技术的主要特点,讨论了超宽带通信技术的发展历
史,重点论述了CMOS低噪声放大器技术的国内外研究现状、技术特点及主要
发展方向。
本文较全面的论述了射频集成电路设计的基本理论和方法,对于CMOS低
噪声放大器的噪声、输入匹配、增益和线性度等指标,迸行了详细的理论推导,
讨论了CMOS超宽带低噪声放大器的S参数、二阶效应和噪声的分析方法。并
对传统的低噪声放大器的各种拓扑结构进行了分析,在折衷考虑有效带宽、芯
片面积和稳定性的前提下,设计了一种CMOS滤波器型超宽带低噪声放大器,
并针对超宽带通讯的基本参数要求,对低噪声放大器的阻抗匹配、噪声、增益
等指标进行了优化,设计了一款带宽为3.1GHz--6GHz,采用带通滤波器输入、
共源级放大器输出的超宽带低噪声放大器.
0.1811m1P6M
基于SMIC CMOS工艺,采用Agilent公司的先进设计工具
dB,最后给出了芯
dB,噪声系数NF低于4.467
作频带范围内,增益&.大于15
片的版图布局。
关键词:超宽带低噪声放大器滤波器噪声系数
Abstract
Abstract
Ultra-wideband in withother
technologycomparison
CowB)communication
hasthe
communication
con-anunication technology
technologies,ultra-wideband
for
the structure,Suitable
of low
signa_l spectraldensity,andsimp
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