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单晶硅材料中的位错研究 李东升 杨德仁 李先杭 张锦心李立本 圈端麟 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州玉泉 310027 摘要: 通过低温压痕和高温热处理实验。研究了硅单晶塑性变形产生的位错滑移特 点以及氮杂质与位错的相互作用。实验结果表明，位错的滑移距离随塑性变形能的增加而 增加:同时含氮元素的单晶中位错滑移距离也比普通单晶中的短。并且讨论了塑性变形能 对位错滑移的影响，以及氮原子对位错滑移起到的阻碍作用。 关键词:单晶硅 位错 一 ·引言 硅材料作为信息材料的基础，其电学性能得到了充分的研究、但由于与表面损伤等力 学性能相关的问题因化学腐蚀抛去损伤层而解决，因此对于硅材料力学性能则研究的相对 较少。但大功率器件 (如可控硅)使用的则是研磨片，并在高温下进行扩散等工艺，此时， 微小的裂纹等损伤都会在高温下造成位错等缺陷，以至于影响器件的性能。同时，随着超 大规模集成电路 (VLSI)的发展，硅片的直径也不断增加，在T艺过程中热和重力应力亦 随之增加;并且随着VLSI器件设计尺寸的减小，热处理中硅片的翘曲会使光刻精度下降; 甚至会在硅片中产生滑移位错导致 VLSI器件漏电流的增加。因此，研究常温下的损伤及 其对高温时材料性能的影响、同时提高和改善大直径硅片的机械性能，防止和减少可能产 生的位错、位错滑移和硅片翘曲，就成为半导体硅材料界研究的重点之一。 以往对硅单晶损伤的研究主要是对探测损伤层的厚度和形态口、2,3]、位错的产生与 否[[4,5]以及高温时氧、碳等杂质对位错的影响[6,7,8,9,101。指出，室温下轻载荷造 成的表面划痕区是被错位的晶格所包围的一小块无定形区[3];而金刚石压头下的压痕中可 产生塑性变形，大量的位错堆积在变形区中[[4,5]0高温下，硅单晶中的间隙氧越多，阻 碍位错移动的作用越强[9,10]，位错滑移距离随氧含量的_2。次方下降8【1;而重掺锑硅单 晶中的位错则比普通硅单晶中的位错滑移的远[7]。但是，对于常温下造成的损伤在高温时 的变化以及在此过程中杂质的作用则了解甚少。 本文通过常温下对硅单晶进行压痕，然后在高温下热处理，了解常温损伤造成的位错 在高温处理过程中的变化和单晶中的氮、氧杂质对这一过程的影响。 二.实验 厂 使用直径为 3英寸、111晶向、电阻率 10-12Qcm、晶体生长参数基本相同的减压 氮气保护硅单晶 (NCZSi)和普通氢气保护硅单晶 (CZSi)。样片均取于单晶尾部，使它们 的热历史一致，样品在室温下用Nicolet公司的Impact410傅立叶转换红外光谱仪 ((FTIR) 测量初始杂质浓度，结果见表 to 对样片进行机械研磨和机械抛光，最终厚度 4104m左右。将抛光样片取中心部分并切 47 井殆雪洛 ， . .