过渡金属掺杂ALN基稀磁半导体铁磁性第一性原理研讨.pdf

过渡金属掺杂AIN的铁磁性第一性原理研究 I 过渡金属掺杂AN基稀磁半导体铁磁性第一性原理研究 专业名称：光学工程申请者姓名：曾坤导师姓名：郭志友 摘要 稀磁半导体被认为是一种理想的制作自旋电子器件的材料，引起了人们广 泛的研究兴趣。从工业生产和实际应用的角度来说，理想的稀磁半导体应具有 良好的室温铁磁性，而磁性过渡金属掺杂的稀磁半导体居里温度差别非常大 泛研究的对象。但由于实验重复性差等原因，AIN基的稀磁半导体一直未得到 广泛的应用，这就需要首先从理论上对其进行预测和分析。 另一方面，随着科学技术的发展，计算机的性能得到了极大地提高，材料 模拟的理论也得到了长足的进步，使得通过计算机模拟设计新型材料成为可能。 因而，本文借助计算机模拟对AIN基的稀磁半导体进行了研究，希望得到具有 良好室温铁磁性的稀磁半导体材料，为接下来的实验提供理论指导。 本文采用基于密度泛函理论(DF，II)的第一性原理平面波超软赝势方法研究 基稀磁半导体，着重介绍了Fe、Ni、Co掺杂AIN体系。主要研究内容及其结果 如下： 1t对六方晶系纤锌矿AIN的能带结构、电子态密度和光学性质进行了详细的 研究。AIN理论计算的晶格常数和实验值相符合。通过对能带结构和电子态密度 分析，从理论上验证了AIN属于直接带隙半导体，导带底和价带顶均位于布里渊 区的G点处，计算的带隙值5．074eV，比实验值偏小，这主要是GGA计算方法的原 因，AIN的离子键性质比较明显。同时，也计算TAIN的能量损失谱、介电函数、 吸收系数等光学参数，利用半导体带间跃迁理论和AIN电子结构信息，对介电谱 过渡金属掺杂AIN的铁磁性第一性原理研究 图和能量损失谱等的峰值进行了辨别和解释，定性分析了光学性质的成因。 2、探讨了Fe、Ni、Co磁性杂质掺杂AIN的电子结构、磁性和光学性质，并重 极化态，呈现半金属铁磁性状态，主要来源于p-d轨道杂化。就光学性质而言， 没有非常突出的变化，但是掺杂后带隙变窄，长波吸收加强，能量损失明显减小。 3、M掺杂AIN体系都呈现出比较稳定的铁磁状态，而且根据实验和平均场近 似海森堡模型理论分析，它们的居里温度都超过了350K，具有良好的室温铁磁性， 是非常有前途的稀磁半导体。 关键词：AIN；密度泛函理论(DFT)；铁磁性；第一性原理；电子结构 Ⅱ becauseofthe oftheir theoretical applications poorreproducibilitypreparation．The calculationisthus forthe and ofDMSs． productionanalysis necessary Ontheother the ofscienceand hand,with development technology，the andmore to of becomesmore makesit advanced,which capabilitycomputers possible new designfunctionalmaterials simulations．Inthis bycomputer paper,ourpurpose wasto newA1N-based exhibit