过渡金属掺杂ALN基稀磁半导体铁磁性第一性原理研讨.pdfVIP

过渡金属掺杂AIN的铁磁性第一性原理研究 I 过渡金属掺杂AN基稀磁半导体铁磁性第一性原理研究 专业名称：光学工程申请者姓名：曾坤导师姓名：郭志友 摘要 稀磁半导体被认为是一种理想的制作自旋电子器件的材料，引起了人们广 泛的研究兴趣。从工业生产和实际应用的角度来说，理想的稀磁半导体应具有 良好的室温铁磁性，而磁性过渡金属掺杂的稀磁半导体居里温度差别非常大 泛研究的对象。但由于实验重复性差等原因，AIN基的稀磁半导体一直未得到 广泛的应用，这就需要首先从理论上对其进行预测和分析。 另一方面，随着科学技术的发展，计算机的性能得到了极大地提高，材料 模拟的理论也得到了长足的进步，使得通过计算机模拟设计新型材料成为可能。 因而，本文借助计算机模拟对AIN基的稀磁半导体进行了研究，希望得到具有 良好室温铁磁性的稀磁半导体材料，为接下来的实验提供理论指导。 本文采用基于密度泛函理论(DF，II)的第一性原理平面波超软赝势方法研究 基稀磁半导体，着重介绍了Fe、Ni、Co掺杂AIN体系。主要研究内容及其结果 如下： 1t对六方晶系纤锌矿AIN的能带结构、电子态密度和光学性质进行了详细的 研究。AIN理论计算的晶格常数和实验值相符合