超薄ZnO薄膜在CuInGaSe2+太阳电池中的应用研究.pdf

超薄ZnO 薄膜在Cu(In,Ga)Se2 太阳电池中的应用† † 李 微 孙 云 敖建平 何 青 刘芳芳 李凤岩 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津 300071) 摘 要：采用中频溅射制备ZnO 薄膜可有效改善射频磁控溅射速率慢的缺点。对于多层薄膜的制备，对向靶的设计 可使样品避开等离子体直接轰击，减少基底薄膜的损伤。本文采用这项技术沉积厚度约为 50nm 的ZnO 薄膜，通过 调整工作压强、溅射功率、氧气氩气比，制备出结晶质量高，电阻率在 102～103Ohm·cm 之间，可见光去透过率达 到90 ％的ZnO 薄膜。将其应用到CIGS 太阳电池中，取得了10.5％的光电转换效率。 关键字：ZnO 薄膜；中频对靶；CIGS 太阳电池 1 引 言 Cu(In,Ga)Se2 （简称CIGS ）太阳电池是多元化合物半导体中最有代表性的光伏器件，它由多层半 导体薄膜及导电性薄膜组成，其结构为玻璃/Mo/CIGS/CdS /i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al[1-3] 。据报道位于Al 掺杂氧化锌层和硫化镉缓冲层之间的薄、非掺杂、高电阻的氧化锌层有助于提高基于 CIGS 太阳电 池的效率。一些研究小组认为该层不仅在溅射Al 掺杂氧化锌时保护CIGS 吸收层不受高能离子的轰 [4-5] 击，而且作为晶种层来提高接下来生长的Al 掺杂氧化锌晶粒 。 氧化锌(ZnO)薄膜具有良好的透明导电性，使其具有广泛的和潜在的应用。目前制备 ZnO 薄膜 的方法很多,有磁控溅射、脉冲光沉积(PLD) 、原子层外延(ALE) 、金属有机物气相外延(MOCVD) 、 [6-9] 分子束外延(MBE)等 ，其中溅射沉积是制备ZnO 薄膜最广泛的应用技术[10- 11]。在这项技术中又 分为两种方式，一种是采用金属Zn 靶在Ar 、O2 混合气氛下反应溅射成膜，优点是沉积速率快，但 要制备高质量的薄膜需要加较高的衬底温度；另外一种方式是采用ZnO 陶瓷靶射频磁控溅射，可在 室温下制备高质量的薄膜，但沉积速率慢。我们采用中频对靶磁控溅射的方法,可将这两种方式的优 点有效的结合在一起。中频电源相对射频电源而言对其他仪器的干扰要小，且对负载的要求低。孪 生对靶（简称对靶）不但避免了对基底薄膜的正面轰击，且与平面单靶直流磁控溅射相比较，薄膜 沉积速率高，成膜质量好。 本文采用这项技术沉积厚度约为50nm的ZnO薄膜，通过调节工作压强、溅射功率、氧氩比等工艺参 数，制备出高结晶度、高透过率。适当电阻率的ZnO薄膜。并将薄膜应用于CIGS太阳电池的n型层， 其稳定转换效率为10.5％。 2 实 验 采用中频对靶磁控溅射在碱石灰玻璃沉积厚度约50nm 的ZnO 薄膜，靶材用纯度为99.99%的氧 化锌烧结而成。将两块相同靶材平行对面放置，玻璃等衬底放置侧面，制备的薄膜主要依靠溅射出 2 的粒子漂移到衬底上。靶材尺寸为154×54mm ，基片与靶材之间的距离为6cm。 我们在实验中采用三步共蒸发法在表面为Mo 膜的碱石灰玻璃上制备CIGS 薄膜，然后用水浴法 † 基金项目:国家863计划项目 (No. 2004AA513020) † 作者简介:李微（1979－），女，河北省人，博士，Email: cliwei@mail.nankai.edu.cn. 19 （CBD ）在CIGS 膜表面形成CdS 膜，I 层ZnO 薄膜（本征ZnO 层），n 层ZnO 薄膜（Al 掺杂ZnO 层），最后蒸发铝完成CIGS 太阳电池的制作。 薄膜厚度测量使用美国 AMBIOS XP-2 型台阶仪,载流子浓度、电阻率以及迁移率的测量使用 ACCENT HL5550 LN2 型霍尔系数测量仪，薄膜晶相结构特性的测量采用荷兰Panalytical 公司X’Pert