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对称性降低的SiO2精选
3 8 ( FENX I HUAXU E) 5
20 10 5 Ch inese Journa l o f A na ly tica l Chem istry 611~ 616
研 究报告
DOI: 10. 3724 / SP. J. 1096. 2010. 00611
SiO /Ag
2
彭 卉 满石清*
( , , 5 10632)
S iO2 / Ag
( TEM ) ( SEM ) X ( XRD ) -( UV /V is)
,
, SiO2 350 nm 2
382 689 nm S iO2 350 4 50 nm S iO2 /A g
9 9
( SERS) , 3 6 10 3 9 10 ,
S iO2 /A g
; ; ;
1
,
[ 1~ 3]
,
, ,
, [ 4~ 7]
,
,
, ,
[ 8]
, ,
,
( SER S): ,
, ; ,
,
, SERS
[ 9~ 11]
, , S iO2 /A g
TEM, SEM, XRD, UV /V is
, ( SERS)
2009-10-20; 20 10-02-06
( N o 604770 15 ) ( N o 915 106320 10000 18 )
( N o )
* E-m ail: tsqm an@ jnu edu cn
38
612
2
2 1
TECNA I- 10 ( PH IL IPS) SiO2 ; XL-30ESEM
( PH IL IPS) S iO2 S iO2 /A g,
20 kV; M SAL XD-2 X , , 36 kV,
20 mAUV-2550 -( )
, 7 85 nm, 2 m,
2 mW 15 L 1 10- 5 m o l/L ,
( TEO S, , ) ; ( E tOH, , );
3-(A PTES, 97% , , ); 25% NH H ON aBH (
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