采用电阻加固的抗单粒子辐照SOI+SRAM单元研究.pdf

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 采用电阻加固的抗单粒子辐照 SOI SRAM单元 郭天雷1 韩郑生1 张正选2 张恩霞2愈文杰2 (1中国科学院微电子研究所一室，北京100029) (2中国科学院上海微系统与信息研究所，上海200050) 摘要：本文提出利用电阻加固的SRAM单元，采用去耦电阻加固单元时，应该注意去 耦电阻随工艺加工和温度的变化，进而在设计中给予充分的考虑。通过对单元的仿真，可 以估算去耦电阻的阻值。 关键字： 单粒子，去耦电阻，SRAM 一．引言 SOI技术已经广泛的应用在抗辐照电路中尤其是SRAM中，由于埋氧层的存在，大大 减少了由于高能粒子轰击，SRAM单元收集的干扰的电荷。本文提出采用去耦电阻加固的 SRAM单元能够进一步的减少单元所收集的干扰电荷。 二．电阻加固方法 SRAM单元通常的加固方法是采用电阻加固来实现抗单粒子的翻转(SEU)。电阻加固包 括在SRAM的单元中采用交叉的去耦多晶电阻。加入多晶去耦电阻的目的就是要降低单粒 子对SRAM单元轰击后产生的扰动电流的反馈时间，使其大于SRAM单元的恢复时间n’。图．1 为电阻加固的SRAM单元。但采用此 种方法加固的单元，其最小的写入 时间会增加。因此这就要在SRAM的 性能和可靠性之间取折中。值得注 意的是去耦多晶电阻的可变性。首 先多晶电阻的阻值会在工艺加工中 在一定范围内发生浮动：通常来说， 多晶的方块电阻会控制在+／一20％ 。 或+／一 30％之内 多晶的光刻线宽会控制在最小尺 寸的10％范围内。那么多晶电阻的 阻值变化范围6R岫可由下式得到： 图．1电阻加固的SOISRAM单元 6 R。 (1) R。1，=CD／W。+6 co为多晶的线宽控制，we为多晶的有效宽度(有效宽度=版图宽度+宽度的偏差)，6R。 为多晶电阻的方块电阻变化范围。如果CD=+／一0．1um，W。=lum，6Rs=+／一30％， 那么6‰。，=40％。由此可见，由于工艺的偏差多晶的阻值可以在很大的范围内发生浮动， 这一点要在设计SRAM单元中要给予充分的考虑。其次是多晶电阻的温度变化性：图．2为 轻掺杂多晶电阻与温度之间的关系曲线。从图中可以清楚的看到轻掺杂的多晶电阻随温度 ．．539．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 的降低而增加。由于工艺的不同，多晶电阻的方块电阻Rs随温度的变化也不尽相同。通过 (2)式陋1的Arrhenius方程可以估算相应工艺下的多晶阻值的温度敏感度。、 Rs=A (2) Exp(一Ea／kT) 其中A为一个与温度无关的常数，E。为中性空穴的激活能，七为玻尔兹曼常数，在R。’1／T 的半对数坐标下，通过测量不同温度下的方块电阻，便可得到在该注入剂量下多晶电阻方 块电阻的温度敏感度。 一般SOISRAM的要求工作温度 范围为-55℃’125℃，在低温下， 由于轻掺杂的多晶电阻的阻值增 加，将会使SRAM最小的写入时间大 大增加。而在高温下，多晶的阻值 又会下降，这又会使SRAM单元的抗 SEU能力下降。很明显，由于多晶电 阻随温度的变化，抗SEU辐照SRAM 单元要在性能和可靠性下取折中。 通常的做法是，在保证可靠性的条 件下，尽量提高性能。 三．电阻阻值的确定1000rremD(I(I SRAM单元中的去耦多晶电阻的阻值，可 图．2轻掺杂多晶电阻随温度的关系曲 以通过器件模拟和单元的电路仿真 进行估算。 首先，通过器件模拟软件，计算出 具有一定能量的某一高能粒子对 SRAM单元中的器件(一般为关断的 P管和N管)