单管单级放大器(三)-清华大学模拟集成电路分析与设计.pdfVIP

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2018-01-12 发布于浙江
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单管单级放大器(三)-清华大学模拟集成电路分析与设计.pdf

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清华大学微电子学研究所 Mar. 17, 2008 单管放大器分析与设计（三）提要提要电阻作负载共源放大器的设计方法电阻作负载共源放大器的设计方法：G /I m D 有源负载的共源放大器有源负载的共源放大器源简并共源放大器的特性共栅放大器共栅放大器：大信号特性、小信号特性、频响特性源极跟随器：大信号特性大信号特性、小信号特性小信号特性、频响特性频响特性电阻作负载的共源放大器的设计方法电阻作负载的共源放大器的设计方法设计方程设计方程小信信号低低频增益： aa =-gg RR v m L 3dB带宽： 11 ω 3dB R C LL LL 输出噪声： 2 kT vv (1(1=+=+γγgg RR )) 动态范围动态范围DRDR o ,tot C m L L 输出摆幅输出摆幅：SWSW＝＝22 ××Min(IMin(I RR －VV , VV －II RR )) D L ov DD D L 设计例子设计例子一手工计算（1）沟道长度的选择：即使对最小的沟道长度，本征增益也远大于要求的增益征增益也远大于要求的增益（（aa =-22 ），），为减为减 vv 小芯片面积，L取最小沟道长度0.35um 手工计算手工计算（（22 ））确确定gm和RL 确定跨导效率确定跨导效率手工计算（3 ）在在g 一定的情况下定的情况下，I 越大越大，W越小越小，因因 m D 此要用允许的最大电流确定晶体管沟道宽度手手工计算计算（4 ）手工计算手工计算（（55 ））确确定VB VV ≈00.2828VV ov V V +V 0.85V B ov t 验证假设验证假设（（VVDS=1=1.5V)5V) Hsppice仿真验仿真验证进行过微调 G /I 设计策略与流程 m D 用Hspice产生器件的电路参数曲线： I /W ～gg /I DD mm DD fT ~gm/ID （各