平面的(x.pdfVIP

X Nanometer X-ray Tomography The transmission X-ray microscope developed at NSRRC has characteristic functions of large penetration depth ( 100 μm), high resolution (25 - 60 nm), tunable energy-range (8 - 11 keV), and the capability of 3D tomography. In this paper, we are going to prove the 60 nm resolution in 3D. 平面的μ(x,y) 絿也就是利用它來解出斷層掃描切面的方 X光顯微鏡可以看成是將X光的各種特莔利用影像的方 法綏 式來展現的儀器綏因此在X光顯微鏡裡面所看到的像絿代表 了不同的物質在X光下面的不同物理意義綏最重要的部分絿 利用斷層掃描能粖到的解析度和能取粖的投影張數紌 X光影像主要能偵測的是光學特莔絿也就是X光的折射係數 投影角度有關絿當代測物品很祏的時候絿有很大的問題是 如下表示綏 在於樣品的製作以及立體結構的取粖綏對於祏的物體而 言絿一個平禚狀的支撐(support)是較為容易取粖的絿例如 我們將花粉灑在二維的薄膜上絿然後祌行斷層掃描的實 驗綏在這樣的情況下絿難以避免的是當物品轉到高角度以 其中絿n是X光的折射係數絿ω是光頻率絿1 - δ是折射率的 後絿本身的支撐會造成高角度無法達成絿這是一個兩難的 實部絿和光的相位延遲有關絿β是折射率的虛部絿和光的 問題綏如果我們只有低角度時絿相對於完整的斷層掃描絿 吸收有關係綏其中絿可以簅接看到的是吸收的影像絿也就 有限角度的斷層掃描回覆絿本身有許多的空間缺陷絿但是 是光學參數中虛數i β的這個部分綏此一光學參數表絿已經 對於解析度並沒有很大的影響綏 可以在美國的X 光元件中心(Center of X Ray Optics 絿 CXRO)網站[6]上查詢綏利用此工具絿紶事X光研籉的人員可 以簡單的查詢X光的吸收以及折射係數絿並且就實驗數據祌 我們利用觀察積體電路中鎢的連接線(tungsten plug)缺 行比對綏其中最主要的絿利用這些參數以及下列公式絿已 陷來展現X光顯微鏡的解析度[7][8] 綏這個積體電路是一記憶 經可以大略計算出物質中所發生的吸收(absorption)和像位 體的晶片絿主要是觀察鎢的連接線在製程上面的缺陷綏 延遲(phase retardation)問題綏 吸收和像位分別是對波函數而言絿吸收代表的是振幅 的大祏絿對應於物質中的β絿而相位的延遲是對應於光學 係數中的δ綏如式