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离子注入形成SiC纳米颗粒的发光性能研究(论)
第29卷专辑I 武汉理工大学学报 V01．29
Suppl．I
OFWUHANUNIVERSITYOF
2007年5月 JOURNAL TECHNOI／2GY May．2007
离子注入形成SiC纳米颗粒的发光性能研究
李，-彗。1,2，卢卓宇1，一，蒋昌忠1，一，任峰1’2，肖湘衡1，一，蔡光旭1，2
(1．武汉大学声光材料与器件教育部重点实验室，武汉430072；
2．武汉大学物理科学与技术学院，武汉430072)
摘要： 用离子注入法将Si、C离子注入到非晶二氧化硅中，样品分男q在600℃，800℃和1100℃进行了退火，并在
1100℃时作了1h．2h,3h和4．5h的退火。用透射电镜(TEM)和光致发光(PL)研究了退火温度以及退火时间对样品
的微结构和发光特性的影响。实验表明，退火后样品中形成了siC纳米颗粒，PL谱中观察到了缺陷和siC纳米颗粒的发
光。
关键词：碳化硅； 光致发光； 纳米颗粒； 热退火
中图分类号：O484．4 文献标志码：A
ofSiC FormedIon
OpticalPropertiesNanoparticlesby Implantation
LI
Huil，一，LUZhuo-yul，一，JIANGChang-zhon91．一，RENFen91，一，XIAOXiang-hen91．一，CAIGuang-xul，2
of
AcousticandPhotonicMaterialsandDevicesof ofEducation，Wuhan
(1．KeyLaboratory Ministry
of
Physics，Wuhan 430072，China)
University，Wuhan430072，China；2．DepartmentUniversity，Wuhan
Abstract：Si．Cionswere into silicondioxides．The werethenannealedatdiffer．
implantedamorphous implantedspecimen
ent anddifferent 100℃1 4．5h．Transmissionelectronmi．
temperatures times：600℃1h，800℃1h，1 h，2h，3h，and
and rcvealtheinfluenceof andtimeonthemicmstmctureand
croscopyphotoluminescencespectrum annealingtemperature opti-
cal of from ob—
wereformed at800℃andtheluminescencedefectswerealso
propertyspecimen．SiCnanoparticles byannealing
served．
words：
Key SiC；photoluminescence；nanoparticle；annealing
现代信息技术的高度发展，对微电子技术支撑的现代信息
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