HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析研究.pdf

第十五眉全田化合物半导体、微波器件和光电器件掌术寺议 TUE-GaN．B07 HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析 赵璐冰，于彤军，陆羽，李俊，杨志坚，张国义 (北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学，北京100871) 摘要：异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲，较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。本实验利用高分 辨x射线衍射仪(XRD)分析HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品，x射线出射狭缝分别用lmm的标准 狭缝和50Itm的小狭缝测量，发现(0002)面摇摆曲线的半宽有明显变化。通过计算和比较，采用标准狭缝测得的(0002)面 摇摆曲线的展宽是由弯曲和位错共同引起的，而弯曲表现的更为显著。而小狭缝的展宽主要反应样品位错的信息。通过不同狭 缝半宽的测量，我们同时得到了不同厚度GaN厚膜样品的曲率和位错密度。 关键词：氢化物气相外延(HvPE)；厚膜；弯曲；x射线 中图分类号：TN304．2+3 文献标识码： A 文章编号： ofthecurvatureofGaNthickfilms HVPE Analysis by grown Zhao，Tongjun魄翰L玛Jun Lubing Li，ZhijianYang，GuoyiZhang Abstract：TheofGaNthickfilmsduetothethermalmismatchin down isacrucial in bending coolingprocess problemhydridevapor thecurvatureofGaNthickfilms resolution the phaseepitaxy(HVPE)growth．Weinvestigated byhigh x·raydiffraction(HRXRD)．For fullwidthathalf scan lmmand50It mslitincident maximum(FWHM)around(0002)directionomegabyusing beam,respectively，we twodifferentresultsfor wagfoundthatthebroadenedFWHM lmmslitwasthe resultbetweenthe got everysample．It byusing complex and thebroadenFWHM 50pmwas duetothedislocations．Thecurvatureanddislocation dislocations，and mainly bending byusing ofGaNthickfilmscouldbe obtained twokindsofincidentbeamslitinXRDmeagurement． density together byusing thick Keywords：hydridevaporphageepitaxy(HVPE)，GaNfilm,curvature，x—ray EEACC：2520D 法、基片曲率法等等，但上述方法存在测量 1引言 复杂和对样品要求高等问题。高分辨X射线 近年来，氢化物气相外延(HVPE)技术衍射仪(XRD)是一种常用的检测样品质量