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第25卷增刊 真空科学与技术学报
OFVACUUMSCIENCEAND 61
2005年12月 JOURNAL 11犯删010GY(C珈附A)
～ 的掺杂行为研究
张海芳杜丕一’ 翁文剑 韩高荣
(浙江大学材料系硅材料国家重点实验室杭州310027)
of
Influence onFe3+SensitiveFilmsof
Doping Ge—Sb-Se-Fe(Ni)
Han
and Gaorong
酝Hadang，DuPiyi。，WengWenjian
(State研labofsdwonmatenals，历例Umversay，鼠咖“，310027，Ouaa)
Abstract of electronbeam eharactenzed
films
Fe(∞N1)doped，聍+跎哪bveC,e-Sb-Se-Fe(N0system，grownby evaporalaon，wereby
dectron tounderstandIts and
fieM咖鲫加scanningtmcro酡opy(FSEM)，andultra-wolet-vlstble(UV-Vm)spectroscopymorphologyproper-
hes．Theresults thatallfilms thatthe ofthelranSltlonmetal
show behavea8 senuconducors．and
p-type electro-nee,aunty dopantsslgndlcantly
affects thefilm．For resultsm withlessstructuralde-
mlc耶吐川ctuI髓of Instance，metal
dopaI吐础h出dectro-negatmtyfmdyc‘m恻film
fects
Wefoundthatthennd衄-嘲∞0fAl，coated
onda鹪stthotrate，intothefilms
mturn．cancelsoutthedecreaseof mduced andreducessheetlreSlS咖ofthefilms．
mobthty byunlxmtyscattenng
thermal
Fe、Ni film，Electronbeam-vacuum
Keywordsdoped，憎+ion—sensitive，Thm evaporation
研究表明C,e-Sb-Se中不同过渡金属元素掺杂因失电子能力差异而形成了不同的网络结构，高电负性过渡金属元素掺杂倾向
于形成较少缺陷态的网络结构；A1的热扩散共掺杂使载流子浓度提高，且其浓度的提高可以抵消杂质散射引起的迁移率下
降，降低薄膜的方块电阻。
关键词Fe、Nl掺杂Fe：’+离子敏感薄膜电子束蒸发
中图分类号：0484；065715 文献标识码：A 文章编号：167二7126(2005)
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