FowlerNordheim电流抽取效应对半导体表面势的影响研究.pdf

Fowler-Nordheim 电流抽取效应 对半导体表面势的影响 许铭真、段小蓉、金立之、解冰、谭长华 北京大学微电子所 100871 表面沟道的NMOSFET，通常工作在半导体表面反型状态。当栅电压足够高时，半导 体表面空间区处于 Fowler-Nordheim(FN)电流的抽取状态(1)。由于相当数量的FN电子 由Si注入si02,为保持沟道中有一定的电子密度，势必增宽半导体表面的空间电荷区宽 度，并导致半导体表面势的增加。这种半导体表面势的增加效应，使之栅电压在半导体表 面的分压增加。若栅电压保持恒定，则氧化层电场强度将相应的减少。众所周知，为预 测实际应用于低场下的薄栅Si0:的使用寿命，通常测定时间相关介质击穿时间 场〔)与 氧化层电场强度 (Eox)的关系，并得到做为寿命预测的电场加速因子R= dlogtBD dEDx 可以看出p因子的一个小的偏差，将导致Sio,寿命的显著偏差。因此准确测定tB。和 Eox是十分重要的。然而，半导体表面的FN电子抽取量与半导体表面的少子产生寿命相 关f9，因此，对于具有相同的氧化层厚度的同一批样品，若保持相同的氧化层电场强度， 在栅上施加的应力电压，将随着半导体表面的分压情况而有所差异，而当施加相同的栅应 力电压时，在各不同的样片上，实际的氧化层电场强度将随着半导体表面的分压的不同而 不同。为准确测定Eox，则须准确测定存在FN电流抽取效应时的半导体表面势. 本文应用瞬态电容法确定有 FN电流抽取时的半导体表面势，并获得tB。一Eox的 关系曲线和日值. 实验与结果 样品为氧化层厚度6.4mn的P-MOSC,改变栅应力电压Vg,测定击穿时间tBD，图 一给出两个样片上的测试结果: 549- .. =-. -- ‘ 10 公 吕 n 工 龙 矛 10J 5. 一，~一了一一r~一，一，，，，归 18 19 20 V9(V) 图一 图二给出:用高频C-t方法测定的平衡反型电容Cf与栅电压的关系曲线 肠 4 0 3 5 它 ︶ J 0 3 2 5 0 2 0 2 d 6 8 10 12 14 16 18 V9V() 图二 一550