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用于薄膜沉积的XeCl激基激光器研制-光子学报
31 9 Vol31 No9
2002 9 ACTA PHOT ONICA SINICA September 2002
XeCl
任 韧 陈长乐 金克新 王跃龙 汪世林 王永仓 宋宙模 袁 孝
( , 7 10072)
以镀制半导体薄膜巨磁薄膜金 石及其它薄膜, 外延生长及后续的光刻, 激光与物
质的相互作用等离子体研究为目的, 设计研制了脉冲放电激励的XeCl 激基激光器试验结
果表明: 激光脉宽18n , 单脉冲能量150mJ, 矩形光斑大小2cm 1cm, 束散角3mrad, 最高重复
频率5HZ与同类激光器相比, 具有结构简单造价低廉性能稳定等特点
XeCl 准分子; 预电离; 辉光放电; 纳秒放电; 激光参量
0
1,
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X
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10- 8 S , 1
( ) Fig. 1 T he tructure of excimer la er
( -) , 1 ,
XeCl ,
308nm , , ,
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2
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1 ,
1. 1 2, 3
XeCl : 20n ,
, 150mJ , 1~ 5Hz
陕西省自然基金( 200 1C21) 资助项目
收稿日期: 2002-06- 11
1098 31
XeCl 1 P = E/ = 69. 12/ ( 150 10- 9)
, 25mm, = 460. 8( mW)
3
270mm , 1000mm, 85 2 1. 78cm ,
, ,
,
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