23.1半导体二极管的结构.ppt

半导体材料 半导体 其导电性能介于绝缘体和导体之间且受外界因素 影响较大,如光,温度和掺杂等。 本征半导体及其导电作用 本征半导体：纯净的不含杂质的半导体 本征半导体的热激发过程 P型半导体的特点 电子数=本征激发电子； 总的空穴数=本征激发的空穴数+杂质原子 产生的空穴； 空穴为多数载流子， 电子为少数载流子(少子）； 所掺杂质称为受主杂质（或P型杂质、受主原子）； 在无外电场时，呈电中性 单向导电性 反向击穿特性 伏安特性 开关特性 二极管反偏时截止，似开关断开 管子可以长期安全运行的反向工作电压。 定义:指管子流过额定电流IFM时二极管两端的管压降。 二极管在反偏电压为VRM时管子的漏电流。 高频时二极管的等效电路 如何判断二极管在电路中是导通的还是截止的 先假设二极管两端断开，确定二极管两端的电位差； 二极管工作状态的判定 二极管工作状态的判定 作 业 P258 [P2.3] 作 业 P259 [P2.7] [P2.9] 二极管V-I特性 Vth（ Vr ）－门限电压或死区电压 Si:0.5V Ge:0.1V Vt=kT/q(热电压） 当T=300K时，Vt=26mV IS—反向饱和电流 二极管V-I关系式 反向偏置时： 正向偏置时： 二极管的伏安特性曲线 Si管与Ge管V-I特性的差异 开关特性 二极管正偏时导通，似开关闭合 器件的参数是其特性的定量描述, 是正确使用和合理选择器件的依据。 二极管的参数 最大反向工作电压VRM 一般，VRM=(1/2)VBR 最大正向工作电流IFM 管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流 特性：VF与温度有关。T , VF 。 最大正向压降VF 硅管VF＝0.6～0.8V，锗管为0.1～0.3V 最大反向电流IR IR越小，管子的单向导电性越好。 特性：IR与温度有关。T , IR PN结的电容效应 (1) 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。 PN结的电容效应 (2) 扩散电容CD 扩散电容示意图 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。当外加正向电压不同时，PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这就相当电容充放电过程。 R C 若电路出现两个或两个以上二极管，应先判断承受正向电压较大的管子优先导通，再按照上述方法判断其余的管子是否导通。 根据二极管两端加的是正电压还是反电压判定二极管是否导通，若为正电压且大于阈值电压，则管子导通，否则截止； 解：将二极管两端断开 B A 所以二极管导通 解：将二极管两端断开 二极管D2导通后： A B1 B2 7V 所以二极管D2先导通 所以二极管D1最终截止 二极管的电路模型及其应用举例 2.1.5 二极管的电路模型 2.1.6 二极管的应用举例 2.1.5 二极管的电路模型 1. 理想模型 3. 折线模型 2. 恒压降模型 4. 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） 2.1.5 二极管的电路 模型 实例 1. 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） 当VDD=10V 时 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 * 2 半导体器件基础 制成电子器件的常用半导体材料 元素半导体：si，Ge等 化合物半导体：GaAs等 掺杂用半导体：B，P，Al等 硅和锗的二维晶格结构图 半导体的共价键结构 (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图 (c) 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 本征半导体的特点： 在0K时,呈绝缘体特征； 在TK时，受热激发（本征激发）；产生电子空穴对； 有两种载流子可以参与导电，即自由电子和空穴。 （动画1-1） （动画1-2） 载流子在晶格中的移动示意图 1. P型半导体 2. N型半导体 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质（3价或5价元素）会使半导体的导电性能显著增强。 在Si（或Ge）中掺入5价元素（如磷P） N型半导体结构示意图 N型半导体 N型半导体共价键结构示意图 1. 总的空穴数=本征激发空穴 总的自由电子数=本征激发的自由电子数+ 杂质原子 产生的自由电子 3. 自由电子为