电子器件失效的分析探讨研究.pdf

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 电子器件失效的分析探讨 王开建李国良王靖张均 (贵州大学信息工程系550025) 摘要：本文为了探索材料晶体形态与器件性能的关系及其形成机理。寻求提高器件 质量的依据。利用显微设备、电子探针等设备对电子器件引脚可焊接性极差的失效现象进 行了分析。 关键词： 器件失效 分析 方法 ThiSlecture about basefin Abstractz analyzesomethingvaplve weldability faiture ， andutilization verypoor phenomena Metallmikroskop、 material structure electron—probeetc．plantanalyse．Disquisitioncrystal andkitattributecorreeelateand a of form—theory．Andapproachway improve themassofkit． word： kit faiture Key analyse 随着电子信息技术的飞跃发展，电子设备在各个领域日益广泛的应用，人们这对电子 产品提出了更高的要求。长寿命、高可靠性电子器件，一方面取决于材料的化学成分和宏 观缺陷的影响，另一方面与材料的微观组织，结构分布和器件的失效机理有着密切的关系。 因此，人们开始注意电子材料与器件的微观结构和失效机理分析方面的联系，这对提高器 件的成品率、可靠性和促进电子技术的高速发展，都具有十分重要的意义。 即使是在相同工艺条件下制造的器件成品率，往往也相差很大，从而促使人们对材料 质量作进一步深入的研究，发现影响器件性能比较严重的还有其他一些内在质量因素，如 氧、碳、重金属杂质、电导率的微区不均匀性、微缺陷、热氧化层错、杂质补偿度等。因 此，积极开展材料与器件性能关系的研究工作，探索各种晶体缺陷的形成机理、分布特点 特点、存在形态、相互作用及其在器件工艺过程中变化规律，分析它们与器件性能的影响， 是一个重要的研究课题。 本文根据实践中遇到的电子器件的失效现象，对失效的主要形式进行了分类。并以其 中一个电子器件的失效分析为例，对电子器件的失效分析原因进行了探讨。 1．电子器件失效的主要形式 电子器件失效的主要形式有两大类：一类是器件内部失效，另一类是器件外部既外引 线失效。器件内部失效主要表现形式是器件易烧坏或者是器件不能正常使用。其原因有加 工缺陷造成的、有加工工艺不当造成的、划伤造成的、腐蚀和氧化造成的、有材料缺陷造 成的等。器件外部引线失效的主要形式是外引线断腿和可焊性差。外引线断腿主要原因是 锈蚀斑点、应力作用、晶体粗大、金镀层质量不好、组织缺陷等。 2．电子器件的失效分析方法 进行电子器件的失效分析，可根据失效的形式和设备的条件进行。除应用镜检和电学 测量等一般分析方法外，往往需要进一步作理化分析，如扫描电镜、电子探针、离子探针、 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 x射线衍射和形貌照像、光电子能谱、俄歇能谱、红外显微镜、红外热分析、氦质谱检漏 等方法。本文仅针对电子器件外引线的可焊性缺陷分析其失效机理。 本文仅对器件外部引线缺陷介绍常见的一些失效现象和失效机理，尤其是对可焊性非 常不好的器件进行了较详细的分析。 3．外引线失效分析 3．1外引线断腿 半导体器件外引线断腿，多年来是生产中的一个普遍存在的质量问题，因断脚而失效 的器件很多。 外引线断裂多发生在管脚根部，用显微镜观察裂纹的起源多为锈蚀斑点，