原位生长SiNx缓冲层对GaN薄膜特性的影响研究.pdf

i 原位生长SN。缓冲层对GaN薄膜特性的影响· 李忠辉，董逊，张岚 南京电子器件研究所，单片集成电路与模块国家重点实验室，南京，210016 摘要： 利用LP—MOCVD在蓝宝石衬底上生长了带有薄SiN。缓冲层的GaN薄膜，并研究 了SiH4流量对品体质量、发光及电学特性的影响。实验发现GaN薄膜中刃位错和螺位错密 PL FWHM和方块电阻的最小值分别为5．4nm和496D．／sq．。 关键词：GaNMOCVD位错密度 1引言 GaN材料具有优良的光电特性，由于存在极化效应，GaN／A1GaN异质结能产生高密度 和高迁移率的二维电子气，被广泛应用于微波毫米波高温功率器件领域。由于没有合适的衬 底材料，GaN外延材料中存在大量的位错(密度～1010cm2)，严重影响晶体质量和器件的性 能。目前有多种改善GaN薄膜晶体质量的方法，如多缓冲层、低温插入层、变化V／Ill比、 lateral ELO(Epitaxial 功证明了ELOG技术在降低氮化物位错密度(～108cm之)方面的优越性，但是ELOG的工 艺相对复杂，因此，原位生长技术降低位错密度已经引起关注【5、6】。本文利用MOCVD技 术研究原位生长SiN。缓冲层对GaN薄膜特性的影响。 2材料生长 蓝宝石衬底经高温处理和氮化之后降温，同时通入NH3和SiH4120秒后形成薄的Slqqx缓冲 均相同。GaN薄膜的室温光致发光(PL)特性由激发波长为325nm的He．Cd激光器作光源 测试，晶体质量和电学特性分别由高分辨x．ray衍射(HRXRD)和非接触电阻测试仪测量． 3结果与讨论 面的FWHM逐渐增加，当SiH4流量为0．5sccm时达到最小值286arcsec。 ‘ ‘国家重大基础研究计划资助项目(批准号：513270403) 340 o口¨。1薹 图1s甜4流量对GaN薄膜晶体质量的影响 刃位错密度的变化趋势相同．随着SiH4的进入，j螺位错密度在Sill4流量1．0sccm时达到最 小值1．3x10Sem-2，刃位错密度在0．5seem时达到最小值4．28x109cm2。； m厶曲。A盯102tjo了厶一r、呐并茂xJo．o曼J 图2siHI流量对GaN薄膜晶体中位错密度的影响 sin4流量对GaN薄膜光致发光特性的影响如图3所示。PL谱表明GaN薄膜的带边发 量为1．0seem时，FWHM达蓟翮、值5Anm。 刀olato dlnIo；乏 图3siH4流量对GaN薄膜光致发光特性的影响 siH4流量对GaN薄膜电学性质的影响如图4所示。GaN薄膜的