沟槽MOSFET中掺杂工艺的应用和优化研究.pdf

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2018-01-16 发布于广东
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目录中文摘要 Abstract 第一章引言第二章沟槽功率MOSFET器件制造流程及掺杂工艺的应用 2．1 沟槽功率MOSFET器件特点 5 2．2 沟槽功率MOSFET器件制造工艺流程 6 2．3 沟槽功率MOSFET器件中的掺杂工艺介绍 9 2．3．1 外延生长即时掺杂 10 2．3．2 离子注入 11 第三章沟槽功率MOSFET器件电性参数及掺杂工艺的优化 14 3．1 沟槽功率MOSFET器件的电性参数及其测试 l4 3．2 掺杂工艺的优化和电性参数的改善 l8 3．2．1 外延电阻率的选择 18 3．2．2体区注入工艺的优化 20 3．2．3接触区注入工艺的优化 24 3．3 小结 27 第四章沟槽功率MOSFET器件可靠性及掺杂工艺的优化 28 4．1 沟槽功率MOSFET器件可靠性 28 4．2 掺杂工艺对热载流子注入特性的影响 28 4．2．1热载流子注入模型 28 4．2．2 外延层掺杂对热载流子特性的影响 29 4．2．3 体区掺杂对热载流子特性的影响 32 4．3 掺杂工艺对阈值电压漂移的影响 33 4．3．1 阈值电压漂移的测试和失效机制 33 4．3．2 阈值电压漂移的分析和工艺优化 34 第五章结论 39 ㈨fllf l III rl rillTI I I IfI |Y1