两种制备多晶铜铟硒薄膜方法的比较研究.pdf

化合物半导体和空间用太阳电池及材料 ．269． II 两种制备多晶铜铟硒薄膜方法的比较 林飞燕秦娟徐环 史伟民魏光普 上海大学材料科学与工程学院上海200072 【摘 CuInSe2(CIS)半导体材料具有出色的光伏性能、丰富的缺陷物理内涵以及 多样的制备方法，二十多年来一直受到太阳能电池界和材料物理界的极大关 注。本文采用真空顺序蒸发铜铟金属预置层后真空硒化退火的方法(硒化法)， 以及真空三元叠层蒸发后氮气气氛退火的方法(叠层法)分别制备了太阳能电 微结构，组分和光电性能。结果表明：两种方法制备的薄膜形貌都比较致密 均匀，晶粒直径分别约1．5gm和约1gm。组分分析表明所制薄膜均为富铜 CIS。硒化法制备的CIS薄膜具有单一的黄铜矿相结构；而叠层法制备的薄 膜含有少量杂相(如In2Se3)。因此硒化法制备的薄膜更适于作为太阳能吸收 ， 层材料。 ： 【关键词】 铜铟硒薄膜太阳电池硒化法叠层法 The ofTwoMethods ThinFilms Comparison CuInSe2 Fabricating LIN QINQuan‘XUHuanSHI WEI Fei·yan Wei·min Guang-pu School ofMaterialScience 0引言 I一Ⅲ一Ⅵ族三元化合物铜铟硒(CIS)经实验和理论证实在可见光区具有高吸收系数 (6x[05cm-1)，较为适合的禁带宽度(Eg=1．04cV)，和能不借助外加杂质制成P型(富铜) 或N型(富铟)半导体等优点，成为第三代太阳能电池中优秀的吸收层材料。CIS中增加适 量的Ga制成的CIGS太阳能电池的转化效率已经达到了21．5％【1】。 国内外研发了各种的制备方法，如：(1)真空蒸发法；(2)磁控溅射法；(3)电沉积法； (4)分子束外延法；(5)气相沉积法等。其中真空蒸发法和磁控溅射法在日本、美国、德国 无论在实验室和生产线上都有采用。但作为实验室里制备面积较小的电池样品，真空蒸发法 制备的电池效率较高。本论文采用真空J暖序蒸发铜铟金属预置层后真空硒化退火的方法(硒 化法)，以及真空三元叠层蒸发后氮气气氛退火的方法(叠层法)制备CIS薄膜，对两种方 法制得的CIS薄膜进行了检测、分析和比较。 ·270· 中国太阳能光伏进展 1实验 本实验采用普通玻璃与镀钼碱石灰玻璃为衬底。真空蒸发在型号为DM-450A镀膜机中 进行。 ● 1．1 硒化法 时，衬底与舟的距离为20cm，真空度为1．6x10～Pa。铜的蒸发温度为l1000C，铟的蒸发 温度为700。C。硒化退火时，将制备好金属预置层的衬底和硒粉放在一个密闭的石墨盒中； 石墨盒放在管式电阻炉的石英管中部；石英管由机械泵抽真空至1Pa。退火步骤：由室温升 至2500C保温1h，再升温至500。C保温lh。退火完成后，随炉冷却至室温。 1。2叠层法 退火时通氮气排除大气后逐步升温至2270C，保温1h。退火完成后在氮气气氛下，随炉冷却 至室温。实验样品的对应编号见表1。 表1试样编号