电场力诱导阵列碳纳米管的生长及其模拟计算研究.pdfVIP

zoos第五屠中国(冒际)纳米辩技西安研讨套论文橐 Preceedlags 电场力诱导阵列碳纳采管的生长及其模拟计算 张哈’，张峻’，祁样1，鲍桥娥弧潘春旭“” n (1．武汉大学物理科学与技术学院，湖北武汉430072： 2．武汉大学声光材料与器件教育部重点实验室，湖北武汉430072) 摘要：通过在火焰法周围施加电磁场可稳定重复地制备出走面积形态良好的直立碳蚋米管。利用有限元的方法建模， 系统计算碳纳米管在生长过程中受到的电谤力夏其与阵列碳抽米管的高度、间距和直径的关系，从理论上解释碳皱米 管在电场力作用下的阵列生长过程和生长机制．“ 关键词：电场力；碳纳来管；有限元方法；模拟计算 0引言 阵列碳纳米管具有优异的场发射性能，在平板显示方面具有重要的应用前景【“。电场诱导生长阵列碳纳米管被认 为是最有效、更容易控制的一种手段。火焰法具有设备和工艺简单，容易施加电磁场等优点，通过外加电场可稳定重 复地制备出大面积形态良好的直立碳纳米管脚。与等离子体法和电弧法不同的是，本方法中采用的有意旌加的电场， 偏压电场与加热装置之间互不干扰。因此，对生长过程中电场作用机理的研究更简单易行。近来，有限元方法(FEM) 被成功的应用于模拟计算碳纳米管的各种性能。一。本工作利用FEM建模，定量计算碳纳米管在生长过程中受到的电 场力，以从理论上更全面地解释碳纳米管在电场力作用下的阵列生长过程和生长机制。 l实验方法 光成镜面，然后将159硝酸镍+100ml乙醇的溶液均匀涂敷于基板的表面上，在室温空气中干燥；最后将基板置于乙 JEM 2010FEF型高分辨透射电子显微镜(HRTEM)上进行。 2结果与讨论 图1所示为不同条件下制各的碳纳米管的形貌。图中显示。当全过程或生长初期无电场时，碳纳米管呈现杂乱生 场对碳纳米管直立生长的诱导作用非常明显，尤其是生长初期的诱导作用在阵列生长过程中至关重要。图2显示为无 无电场时得到的碳纳米管管径较粗，内径较小且石墨片层与管轴方成一定倾角；有电场时得到的碳纳米管管径较细． 石墨片层数量较少且与管轴方向平行。 前期研究表明“，作用于头部催化剂颗粒上的电场力远大于作用于碳纳米管本身上的电场力，这是诱导碳纳米管 形成阵列的重要因素。本工作采用FEM建模(如图3a)，通过解拉普拉斯方程并利用“虚功原理”，进一步研究电场 力的作用机制以及其与碳纳米管阵列高度、间距和营径等几何参数的关系。 -96· 2006第五届中胃(嗣际)舳米科技西安研讨会论文集 Proceedings 2006 a：无电场；b：有电场；c：3min无电场+2min有电场；d：3rain有场+2rain无电场 固l不同条件下割备的碳纳米管形貌 a扣c无电场；b和d有电场(a：Bar 图2 TEM和HRTEM照片 圃憋丛 ·97· 2006第五届中曩(置际)蝻米科技西安研讨鲁论文集 Proeeedlmp 2006 通常而言，阵列碳纳米管之间的相互捧斥力和屏蘸教应不容忽视。圈3b显示，对单根碳纳米管而言，随着高度 h的增加，碳纳米管头部催化剂颗粒上所受舶沿电场方向的静电引力Py几乎星线性增加；而作用于碳纳米管本身的 静电引力却呈微小的下降趋势。此外，作用于俄化和颗粒上的静电力要比作用于碳纳米管上的力大6-9个数量级。图 3c显示，对两根碳纳米管而盲，作用于颗粒上沿电场方向的力Fy是最大的，两颗粒由于带有同种电荷具有较大的排 斥力Fx；碳纳米管车身受科触电场力Fy和融剐都比较小。罔3d显示，随着碳纳米管数量的增加，作用于颗粒上的 力Fy呈快速下降趋势直至趋于稳定，这是由于屏蔽效应增强导致电场增强因半减小。随着阵刿碳纳米管数量的进一 步增加。屏蔽效应使得碳纳米管局域电场继续减弱直到趋于恒定值