生物医学传感器电阻.pptVIP

扩散硅型脉搏计的核心为一扩散硅膜片，硅膜片上扩散有4个接成全桥的电阻，引线由导线管引出，脉搏计的室内充有硅油，以传递由硅橡胶膜感受到的压力变化．压阻效应引起力敏电阻的变化经测量电路产生输出。 医学应用之三 ——呼吸测量 * 电阻应变片的电阻值为60Ω、120Ω、350Ω， 500Ω和1000Ω 等多种规格，以120Ω最为常用。 应变片的电阻值越大，允许的工作电压就大， 传感器的输出电压也大，相应地应变片的尺寸 也要增大，在条件许可的情况下，应尽量选用 高阻值应变片。 * * * * 压阻效应 半导体材料在机械应力的作用下，使得材料本身的电阻率发生了较大的变化，这种现象 叫做压阻效应。 1.2 固态压阻式传感器 金属材料：电阻率的变化由式中前两项引起。 半导体：电阻率的变化由式中最后一项dρ/ρ引 起，前两项很小，可忽略不计。 半导体 价带 导带 禁带宽度 压阻元件 体型半导体应变片 扩散式半导体应变片 薄膜型半导体应变片 体型半导体应变片 体型半导体应变片是采用 P 型或 N 型硅材料按其压阻效应最强的方向切割成厚度为0.02~0.05mm，宽度为0.2~0.5mm，长度为几个毫米的薄片，然后用底基、覆盖层、引出线将其组合成应变片。 扩散式半导体应变片是随着近代半导体工艺发展出现的新型元件。如将P型半导体扩散到N型硅基底上，形成一层极薄的导电P型层线条，再通过超声波和热压焊法接上引出线就形成了扩散型半导体应变片。这是一种应用很广的半导体应变片。通常称为压敏电阻片。 扩散式半导体应变片 薄膜型半导体应变片 薄膜型半导体应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上而制成。 扩散电阻 硅杯式固体压力传感器结构示意图 扩散电阻 Si_n 扩散电阻 Si_n 测量电路 惠斯登直流电桥电路 电桥平衡： R1R4 = R2R3 ?桥电路 半桥电路 全桥电路 误差及补偿 零位误差与补偿（调零） 串联平衡 并联平衡 温度误差与补偿 应变片自补偿 桥路补偿 非线性误差与补偿 差动电桥 传感器测量电路 恒压源 恒流源 应变式传感器典型接口电路 压阻式传感器 应用示例 电源电压 输出信号 R1 R4 R3 R2 实验电路 压力传感器 电子称 原理: 将物品重量通过悬臂梁转化结构变形，再通过应变片转化 为电量输出。 * 荷重传感器上的应变片在重力作用下产生变形。轴向变短，径向变长。 桥梁固有频率测量 医学应用之一 ——血压测量 箔式压力传感器的膜片 图中1为金属膜片，2、3、4、5分别为四组金属电阻应变箔的栅丝。6、6 ′、7、7′为 4 个很宽的引线片，它们的面积很宽，引线片部分的电阻值十分小。这样的应变片常称为“应变花”，它与金属膜片粘贴在一起，四组应变箔被连接成一个完整的四臂电桥。 * 图中1为金属膜片，2、3、4、5为箔式应变片， 它们按一定的位置粘贴在膜片l上。 圆形压力膜片上的应变片的粘贴位置是一个很重要的问题。 * 圆膜片的周边如果按图中 所示的方法作刚性固定时，膜 片受到来自一侧的血压均匀作 用将会发生弯曲变形，则膜片 另一侧不同的点上所出现的应 变分布状态如图中的曲线εr 和ετ所示。 εr 为径向应变曲线，是在膜片的平面内沿半径方向 的应变； ετ为切向应变曲线，是在膜片的平面内以中心点为 圆心的同心圆的切线方向的应变。 * 膜片式压力传感器中，应变片贴在膜片内壁，在压 力P 作用下，膜片上任一点产生径向应变εr 和切向应 变ετ ，表达式分别为 （3-11） 式中：P — 单位面积上的压力 ; μ— 膜片材料的泊松系数 y — 膜片材料的杨氏模量; h — 膜片的厚度 R — 膜片的半径 ; x — 膜片中心到应变计算点的距离。 * 在膜片的中心 （x = 0 )，径向应变和切向应变都 达到了最大值， εrmax=εtmax 即 * 在膜片的边缘，即当x = R 时， ετ= 0， εr= -2εrmax 在半径 处的 εr = 0 因此将一片应变片贴在靠近中心的正应变区，另一 片贴在靠近边缘的负应变区，当压力作用于膜片一侧时， 两片应变片的应变将向着相反的方向变化，将它们组合 在电桥中就可以得到更大的信号。 *