激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响研究.pdf

第6卷 第4期 功能材料与器件学报 V.L6,N..4 70D:年12月 JOURNALOFFUNCTIONAL.MATERIALSANDDEVICES Dec.._-^^000 文章编号:1007一4252(2000)04一0440一04 激光能量对磅镐汞注入样品退火效果的影响 张燕，李向阳，方家熊 (传感器国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所，上海200083) 摘要:利用脉冲YAG激光器对砷注入长波啼锡汞样品进行激光退火，分析不同能量 密度的激光光束退火所引起的样品表面电学性质的变化。实验表明，激光能量密度 越大，激光退火的效果越明显。我们认为要达到理想退火效果，样品表面一薄层需处 于近熔化状态，以得到晶格结构的重新组织。 关键词:啼锡汞;激光退火;迁移率谱 中图分类号:0472 文献标识码;A 1 引言 磅锅汞作为一种膺二元系合金的窄禁带半导体，由于它具有禁带宽度可调、迁移率高、介 电常数相对较小等特点，广泛受到人们的重视。离子注人和退火是材料和器件研究的一个重 要环节。对半导体来说工艺中通常使用热退火方式，但是热退火存在一些不尽人意的地方。 在退火过程中，整个样品都处于高温环境中，使衬底等不可避免的受到高温处理。特别是对干 蹄锡汞材料，蹄锅汞含有不稳定元素，汞原子很容易脱离晶格结构，成为填隙原子，或者进人外 部空间。而利用激光退火可以避免对整个样品过度加热。利用激光能量大、方向性好等特点， 还可以实现小光斑退火。激光退火用于蹄锅汞注人材料的研究目前还不多，本实验使用不同 能量的激光对磅锯汞注人样品进行退火实验，分析了激光能量对磅镐汞注人样品退火效果的 影响。 2 “迁移率谱”分析方法 这种方法与霍尔测量相比，能够对分层导电的介质中的不同迁移率的载流子构成予以研 究，将表面注人层的电子迁移率与体内电子迁移率分开121。由于离子注人与激光退火对材料 的影响大多集中在表层中，而对于整个材料来说，影响并不是特别明显，迁移率谱的这种特点 正好为我们提供了帮助。 考虑理想情况，单一载流子导电，球形费米面，能量E对K为抛物线型，此时电导率张量。 的分量表示为: 收稿日期:2000-07一18;修订日期:2000-03-28 作者简介:张燕(1975一)，女，在读博士生. 4期 张燕等 激光能量对蹄锡汞注人样品退火效果的影响 一 qn卜ZH J “= (1) 1+(林H)又’ 1+(娜 ) 事实上，对于多数半导体材料，更经常遇到的是多数载流子导电的复杂情况，当采用的磁 场强度比较小，不足以发生5卜曲币kvo一deHaaS振荡时，由经典统计的Bol匕mna。方程得到电导 率张量表示为: 。。(H)二 卜。5(冲)d卜 。。(H)=+·防Hs(阵)d协 (2) 臼1+(协H)2’ ‘1十(协H)2 令H=0，可看出s(闪的物理意义。S(闪d卜表示零磁场时迁移率协与 卜十d卜间的载流 子对电导率的贡献。从式(2)中可以看出。(卜)包含了与低磁场强度H相关的电导率的所有 可能的信息，因此只要确定5(闪便可以得到电子传输性质的一系列描述。但由于N个磁场 下，测量。_、。。，得到的数据点存在于一个ZN维的线性空间，，(闭不是唯一的。Bekc’]〔等人 提出了迁移率谱分析方法，使用包络s(司来代替5(闪，s(件)可由实验唯一确定，通过分析包 络极值点的位置及大小，得到有关迁移率、电导率及浓度等一系列的信息。 3 实验 实验采用移动加热器法生成的磅福汞单晶，经过粗抛、精抛去掉表面氧化层后，在Urtl--a vac工M一00型离子注人机进行砷离子注人，注人束流密度控制在0.1卜A/c扩以下，注人剂量 为lx0lIc‘。一2。退火采用多模脉冲YAG激光器，样品表面光斑直径为1.csm，略大于样品直 径15cm。样品装在金属杜瓦瓶里，杜瓦瓶内保持低真空，真空度约为几百帕。样