单片机炉温控制pid系统.doc

计算机控制系统课程设计 基于炉温的pid控制系统 1、【选定题目】： 2、【任务要求】： 对工业上的连续槽反应器温度控制系统进行定性建模，充分考虑过程控制当中的大延迟环节与主要干扰源，在理论上设计适用于该控制系统的控制器，并利用matlab的simulink进行建模与控制系统仿真，要求做到系统的阶跃相应超调量不超过 5%，对于大幅度长时间的干扰调节时间不能超过系统延迟时间的两倍，尽可能消弱调节过程中的震荡过程。利用STC89C51单片机实现系统的控制环节，编写相对应的C程序，并设计系统的传感器模块和执行器块，并通过Protues进行硬件部分的仿真。最终提交控制器模型与参数、Simulink仿真结果、单片机的程序与硬件部分的设计。 3、【系统总体方案】： 3.1、系统简介与建模 续槽反应器中，物料自顶部加入，经反应后从底部排出产品，反应产生的热量有冷却夹套当中的冷却水带走。为了保证产品品质，反应器内的温度必须得到精确控制，该控制系统通过控制冷却水的流量控制反应器温度。 各模块建模：调节阀模块：相当于一阶惯性滞后模块；夹套模块：是一个纯滞后模块；槽壁模块：是一个纯滞后模块；反应槽模块：由于反应槽内含有大量溶液，热容积比较大，可以视为时间常数较大的一阶惯性模块。 干扰源分析：该系统主要的干扰源分为两部分，一是来源于执行器与冷凝水的干扰，主要作用于调节阀模块。一是来源于反应物质与溶液的干扰，作用于反应槽模块。 延迟环节分析：该系统主要的延迟环节有两个，一是调节阀模块的延迟，此环节延迟时间较短；一是夹套与槽壁模块的延迟，此为大延迟环节。 3.2、控制算法与控制系统框图设计 由于数字PID的位置算法的积分项是一个累加器，会占用大量的存储单元，故拟采用数字PID的增量式算法。为了减少系统的超调量，使用积分分离法抑制几分饱和，同时使用不完全微分的PID算式来抑制高频噪声。PID算式如下： 且当||过大时，令=0。 考虑到由入口处冷却水温度变化带入的扰动，需要经过夹套内的冷却水、夹套与反应器槽壁、反应器内的物料这三个容积才会影响到反应器内的温度，故增加一个通过夹套内冷却水水温修正冷却水流量的副回路闭环控制系统，形成双闭环串级控制系统。 同时，由于本系统中包含一个大延迟环节，故通过一个理想的史密斯预估补偿器来补偿控制过程的动态特性。控制系统框图如下： 3.3、其它控制参数确定 A/D和D/A位数均为8位，采用平均值滤波法，以0.1s为一个周期，每个周期采5次样，取其算术平均值，作为该周期的采样值。 4、【控制系统仿真】： 使用matlab的simulink对系统进行建模，并进行控制系统的仿真，整定控制参数。 4.1、系统建模 第一个传递函数和第一个延迟环节代表调节阀模块，延迟时间为1，第二个延迟环节代表夹套与槽壁，延迟时间为5，第二个传递函数代表反应槽模块，时间常数较大。第一个干扰源是来自于执行器与冷凝水的干扰，第二个干扰源是来自于反应物质与溶液的干扰。 4.2、PID控制器的设计 Kp、Ki、Kd分别设定PID的三个参数，使用积分分离法抑制几分饱和，同时使用不完全微分的PID算式来抑制高频噪声，Constant用来设定积分门限。Max1和Max2用来设定输出的控制参数的最大值与最小值，是不需要整定的，用来保证控制参数不会超出执行器输入信号的范围。 4.3、整定副回路的PID参数 4.4、整定带噪声的副回路的PID参数 4.5、整定整个系统的PID参数 4.6、整定带噪声的整个系统的PID参数 4.7、控制效果对比 无副回路的控制系统 无史密斯预估补偿的控制系统 4.8、整定后的参数 主控制器：Kp=3.2、Ki=1.2、Kd=0、积分门限：6 副控制器：Kp=2、Ki=1.2、Kd=0.1、积分门限：3 5、【硬件模块设计】： 5.1、执行器设计 执行器采用电动调节阀，型号是VB3200型电动二通阀，规格使用DN50，该规格的流量系数为40m3/h，可以通过0~10V的直流电压来控制阀门开度，等百分比结构特性。需要24V直流电驱动电机，还自带温度传感器和反馈回路，不过本次设计暂不考虑，使用开环控制电动调节阀开度。 5.2、测量单元选型（温度传感器） 采用Pt100铂热电阻，使用电桥法测量，输出放大12倍，当温度从0~100℃变化时，测量单元的输出电压在0~4.85V之间变化。 5.3、基本CPU电路设计 采用STC89C51单片机进行控制，P0和P1管脚接两个温度测量电路的输入值（采用ADC0809进行模数转换），通过P2管脚输出控制量，通过DAC0832转换成模拟量后放大两倍控制电动调节阀。 5.4、硬件系统整体设计 6、【软件系统设计】： 6.1、系统初始化 设置定时器0和定时器1，定时器0用于提供采样信号与A/D转换开始信号，定时时间