无机材料电导-电子电导PPT.ppt

合金结的杂质分布： ND NA N(x) x p n 单边突变结（ P+-n结）： 由两边杂质浓度相差很大的p、n型半导体形成的p-n结为单边突变结。 p区的施主杂质浓度为1016cm-3 ,而n区的杂质浓度为1019cm-3 。 2）扩散法 通过氧化、光刻、扩散等工艺形成p-n结 。 n Si SiO2 n Si n Si P ND NA (x) N(x) x p n 缓变结： 杂质浓度从p 区到n区是逐渐变化的p-n结为缓变结。 2. 空间电荷区（势垒区）、空间电荷层 p n +++++++++ - - - - - -- - -- 多数载流子：n型半导体中的电子和p型半导体中的空穴. 少数载流子：p型半导体中的电子和n型半导体中的空穴. 空间电荷区：电离施主和电离受主所带电荷存在的区域。 表面空间电荷层：表面与内层产生电子授受关系，在表面附近形成表面空间电荷层。 电子耗尽层：空间电荷层中多数载流子浓度比内部少。 电子积累层：空间电荷层少数载流子浓度比内部少。 反型层：空间电荷层中少数载流子成为多数载流子。 3. p-n结能带图及载流子的分布 （1） p-n结能带图 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? EC Efn EV EC Ef p EV - - - - - - EF － ? ? － － ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? － － － － － － － ? ? ? ? ? ? qVD qVD x 空间电荷区 空间电荷区内电势由 n?p区不断下降， 空间电荷区内电势能由 n?p区不断升高， p区能带相对向上移， n区能带向下移，至费米能级相等， n-p结达平衡状态，没有净电流通过。 势垒高度：qVD = EFn—EFp x V(x) VD -xp xn x － ? ? － － ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? － － － － － － － ? ? ? ? ? ? qVD qVD x qV(x) 0 xn -xp （2） p-n结载流子的分布 空间电荷区内某一点x处的电子的电势能：-qV(x) 电子的浓度分布服从波尔兹曼分布： n(x)=nnoexp[qV(x)-qVD]/k0T 同理空穴的浓度分布： p(x)=pnoexp[qVD - qV(x)]/k0T P n x npo nno Pno ppo n(x) P(x) 平衡p-n结中载流子的分布 平衡载流子： 在一定温度下，半导体中由于热激发产生的载流子（电子或空穴）。 非平衡载流子：由于施加外界条件(外加电压、光照)，人为地增加载流子数目，比热平衡载流子数目多的载流子。 ?p ?n 4. 非平衡状态下的p-n结能带图 （1） 光照 n p n p + _ E n区空穴 P区电子 光生伏特效应： 1）用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结； 2）p、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子； 3）非平衡载流子破坏原来的热平衡； 4）非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散； 5）若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。 正偏压 n p + — E 内电场 （2） 外加电压 负偏压 n p + — E 内电场 高负偏压 n p + — E 隧道效应 内电场 3）负压过大，势垒很大，能带弯曲变大，空间电荷区变薄，p-n结产生隧道效应，即n区的导带和p区的价带具有相同的能量量子态。 2）加入负偏压V，n区的电势比p区的电势高VD +V，势垒上高，空间电荷区变厚，载流子扩散减弱，少数载流子产生的净电流，电流极小。 1）加入正偏压V，n区的电势比p区的电势高VD – V，势垒下降，空间电荷区变薄，载流子扩散增强，载流子产生的净电流。 5. 金属与半导体的接触 （1） 金属和半导体的功函数 Eo (EF)m Wm 金属中的电子势井 Eo表示真空中静止电子能量。 金属功函数定义： Wm = Eo- (EF)m 该式表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。 其大小表示电子在金属中束缚的强弱，并与表面状态有关。 铯的功函数最低，1.93eV，铂的最高5.36eV. 第三章 无机材料的电导 一、电子迁移率 3.3 电子电导 电子电导：载流子是