无机材料的电导-离子电导PPT.ppt

第三章 无机材料的电导 ;离子晶体中的电导主要为离子电导(载流子:正、负离子/空穴。) 离子导电的种类： 一、固有离子电导（本征电导）—固体中的基本离子的运动 二、杂质电导—固溶的杂质离子引起，杂质离子是弱联系离子，所以在较低温度下杂质电导表现得特别显著。 离子型导体统称为电解质，从状态上分为液态和固态。本节主要讨论固体电解质的电导特性。 ;（1） 根据传导离子种类： 阳离子导体：银离子、铜离子、钠离子、锂离子、氢离子等； 阴离子导体：氟离子、氧离子。 （2） 按材料的结构：根据晶体中传导离子通道的分布有一维、二维、三维。 （3） 从材料的应用领域：储能类、传感器类。 （4） 按使用温度：高温固体电解质、低温固体电解质;类型;? 固体电解质既保持固态特点，又具有与熔融强电解质或强电解质水溶液相比拟的离子电导率。 ? 结构特点不同于正常态离子固体，介于正常态与熔融态的中间相------固体的离子导电相。 ? 导电相在一定的温度范围内保持稳定的性能，为区分正常离子固体，将具有这种性能的材料称为快离子导体。 ? 良好的固体电解质材料应具有非常低的电子电导率。 ? 应用领域：能源工业、电子工业、机电一体化等领域。;碱金属卤化物晶体的离解能与缺陷的扩散能(eV);杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类。;热缺陷的运动产生和复合;U0远大于一般的电场能，通常间隙离子的迁移所需要的能量来源于热运动，用热运动的涨落现象解释。 ? 根据波尔兹曼统计, 在温度T时，粒子具有能量为E的几率和exp(－E/kT)呈正比例 间隙原子在间隙处的热振动具有一定的频率 ?0 ，即单位时间内填隙原子试图越过势垒的次数为?0 ； ? 单位时间内填隙原子越过势垒的次数为： P = ?0 exp(－U0/kT) ? 单位时间沿某一方向跃迁的次数为： P = ?0 /6exp(－U0/kT) ;在外电场存在时，间隙离子的势垒变化;设 ?U=F·a/2=Eqa/2 顺电场方向填隙离子单位时间内跃迁的次数为： P顺= ?2 /6exp[－(U0－ ?U) /kT] 逆电场方向填隙离子单位时间内跃迁的次数为： P逆= ?0 /6exp[－(U0 + ?U) /kT] 单位时间内每一间隙离子沿电场方向的净跃迁次数为： ?P= P顺－ P逆 =?0/6exp(－ U0 /kT)[exp( ?U/kT)+exp(－?U/ kT)];当电场强度不太大时， exp( ?U/ kT)?1+ ?U/ kT exp(－?U/ kT)?1－ ?U/ kT ?U=F·a/2=Eqa/2 v=( a?0 /6)×(qa/ kT) ×E× exp(－ U0 / kT) 载流子沿电场力的方向的迁移率为： ?=v/E=(a2?0q /6kT) × exp(－ U0 / kT) 例如： 一般离子的迁移率为10-13～10-16 m2/sV, k= 0.86×10-4(eV/K) 例：晶格常数a=5×10-8 cm，振动频率1012Hz， 势垒0.5eV， 常温300K，?=6.19×10-11(cm2/sV);电导率?=nq? 本征离子电导主要由肖特基缺陷引起的 Ns=Nexp(－Es/2kT) ?=v/E=(a2?0q /6kT) × exp(－ Us/ kT) ?=Nexp(－Es/2kT) a2?0q 2 /6kT × exp(－ Us / kT) ?=Asexp[-(Us+Es/2)/ kT]= Asexp[-Ws/kT] As＝N a2?0q２ /6kT （温度范围不大时，认为是常数） Ws ＝Us +Es/2 Ws ------电导的活化能。包括缺陷的形成能和迁移能。 通过在不同的温度下测量其电导率可得出活化能。;杂质离子浓度远小于晶格格点数； 杂质离子的活化能小于热缺陷移动的活化能； 离子晶体的电导主要为杂质电导。;晶体;能斯脱---爱因斯坦方程： 在材料内部存在载流子浓度梯度，由此形成载流子的定向运动，形成的电流密度(单位面积流过的电流强度）为： J1=－Dq×?n/ ?x n------单位体积浓度：x------扩散方向； q------离子的电荷量；D------扩散系数。 在外电场存在时，