纳米SiO2／PI复合薄膜低温热膨胀系数的实验研究.pdfVIP

维普资讯 第 29卷 第 1期 北 京 交 通 大 学 学 报 V01．29NO．1 0FBEIJINGJIAoT0 G ! Feb．2005 ! 文章编号 ：1673—0291(2005)01—0044—04 纳米Si02／Pl复合薄膜低温热膨胀系数的实验研究 王正道 ，蒋少卿 ，李 艳2，付绍云2 (1．北京交通大学 土木建筑T程学院，北京 100044；2．中国科学院理化技术研究所，北京 100080) 摘 要 ：高热膨胀系数是聚酰亚胺薄膜在低温下作为热绝缘和电绝缘使用的主要不利因素之一．为 了降低其热膨胀系数，选用低热膨胀系数的无机纳米Si02对其进行改性，利用溶胶凝胶技术，制备 了不同sio2 含量的纳米 siO2／PI复合薄膜．利用 自行设计的一套薄膜样品低温热膨胀系数测量装 置 ，对纳米siO)／1)I复合薄膜室温至低温(77K)的热膨胀系数进行了测量 ，给 出了SiO2含量、外加 载荷对复合薄膜热膨胀系数的影响关系． 关键词 ：固体力学；聚酰亚胺；二氧化硅 ；低温；热膨胀系数 中图分类号：O39；TE；131 文献标识码 ：A ExperimentalResearchonCTEsofSiO2／PI NanocompositesatLow Temperature WANGZheng-dao ，JIANGShao—qing ，L1Yan ，FUShao—yun (1．SchoolofCi、ri1EngineeringandArchitecture，BeijingJiaotongUniversity，Beijing100044，China； 2．TcehnicalInstituteofPhysicsnadChemistry，ChineseAcademyofSciences，Beijing100080China) Abstract：ThehighcoefficientofthermalexpansionofPIfilm iSoneoftheseriousdisadvantagesforits applicationinthecryogenicasathemr al orelectricalinsulator．InordertodecreaseitsCTE，nano- Sio2isuesdasanadditivetosynthesizedifferentSio2一contentsSio2 ／PInanocompositefilmsbysol—gel technique．Byuseofaself-designedCTE testingdeviceforfilm materials．theCTEsofSio2 ／PI nanocompositefilmsfromroom temperaturetolOW temperature(77K)aremeasured，andtheinflu— enceofsio2一contentsandpre—loadingonCTEsisdiscussed． Keywords_．oslidmechanics；PI；Sio2 ；lOWtemperature；CTE 聚酰亚胺薄膜 由于具有较为优 良的热性能、机 着温度的降低 ，在绝缘薄膜和超导磁体之间会产生 械性能和电性能，在航空航天、微电子、汽车、精密机 较大的热应力和热变形 ．另外 ，随着温度 的降低 ，聚 械等领域得到了广泛的应用_1J．目前对其室温和高 酰亚胺薄膜的韧性会逐步降低 ，从而较易由于热应 温性能研究较多，但较少涉及其低温性能．事实上 ， 力和热变形而造成绝缘薄膜龟