第三章晶体硅太阳能电池的基本原理PPT.ppt

第三章 晶体硅太阳能电池的基本原理;3.2 太阳电池的分类工作原理;;当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量升高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，称为自由电子。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现一个空位，称为空穴。;3.2.2 能带结构;导体，在外电场的作用下，大量共有化电子很易获得能量，集体定向流动形成电流。 绝缘体：在外电场的作用下，共有化电子很难接受外电场的能量，所以形不成电流。从能级图上来看，是因为满带与空带之间有一个较宽的禁带（Eg 约3～6 eV），共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到高能级（空带）上去。 半导体：的能带结构,满带与空带之间也是禁带， 但是禁带很窄（Eg 约3 eV以下 )。;;在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成的半导体;根据掺杂的不同，杂质半导体分为;空 带;掺入少量五价杂质元素磷;掺入少量三价杂质元素硼;3.2.5 PN结;① 多子扩散运动形成空间电荷区;*;3.2.6 光生伏特效应;3.2.7 太阳电池的基本工作原理;3.2.8 晶硅太阳电池的结构;由于半导体不是电的良导体，电子在通过p－n结后如果在半导体中流动，电阻非常大，损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属，阳光就不能通过，电流就不能产生，因此一般用金属网格覆盖p－n结（如图栅状电极），以增加入射光的面积。 另外硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用。为此，科学家们给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜，将反射损失减小到5％甚至更小。一个电池所能提供的电流和电压毕竟有限，于是人们又将很多电池（通常是36个）并联或串联起来使用，形成太阳能光电板。;3.3 太阳能电池的电学性能;3.3.2 太阳电池等效电路;;3.3.3 太阳电池的主要技术参数;最大功率点;短路电流是指当穿过电池的电压为零时流过电池的电流（或者说电池被短路时的电流）。通常记作ISC。;开路电压VOC是太阳能电池能输出的最大电压，此时输出电流为零。开路电压的大小相当于光生电流在电池两边加的正向偏压。开路电压如下图伏安曲线所示。;上述方程显示了VOC取决于太阳能电池的饱和电流和光生电流。由于短路电流的变化很小，而饱和电流的大小可以改变几个数量级，所以主要影响是饱和电流。饱和电流I0主要取决于电池的复合效应。即可以通过测量开路电压来算出电池的复合效应。实验室测得的硅太阳能电池在AM1.5光谱下的最大开路电压能达到720mV，而商业用太阳能电池通常为600mV。;填充因子被定义为电池的最大输出功率与开路VOC和ISC的乘积的比值。 短路电流和开路电压分别是太阳能电池能输出的最大电流和最大电压。然而，当电池输出状态在这两点时，电池的输出功率都为零。“填充因子”，通常使用它的简写“FF”，是由开路电压VOC和短路电流ISC共同决定的参数，它决定了太阳能电池的输出效率。从图形上看，FF就是能够占据IV曲线区域最大的面积。如下图所示。;太阳能电池的转换：太阳电池接受的最大功率与入射到该电池上的全部辐射功率的百分比。;在太阳能电池中，受温度影响最大的参数是开路电压。温度的改变对伏安曲线的影响如下图所示。;太阳辐照度对太阳能电池的伏安特性的影响;3.3.4 影响太阳电池转换效率的因素 ;希望载流子的复合寿命越长越好，这主要是因为这样做ISC大。少子长寿命也会减小暗电流并增大VOC。在间接带隙半导体材料如Si中，离结100μm处也产生相当多的载流子，所以希望它们的寿命能大于1μs。在直接带隙材料，如GaAs或Gu2S中，只要10ns的复合寿命就已足够长了。 达到长寿命的关键是在材料制备和电池的生产过程中，要避免形成复合中心。在加工过程中，适当而且经常进行工艺处理，可以使复合中心移走，因而延长寿命。 ;5. 掺杂浓度及剖面分布 ;目前，在Si太阳电池中，掺杂浓度大约为1016cm-3，在直接带隙材料制做的太阳电池中约为1017 cm-3，为了减小串联电阻，前扩散区的掺杂浓度经常高于1019 cm-3，因此重掺杂效应在扩散区是较为重要的。 当Nd和Na或（Nd）eff和（Na）eff不均匀且朝着结的方向降低时，就会建立起一个电场，其方向能有助于光生载流子的收集，因而也改善了ISC。这种不均匀掺杂的剖面分布，在电池基区中通常是做不到的；而在扩散区中是很自然的。 ;6. 表面复合速率 ;7. 串联电阻