相变存储器介绍.pptxVIP

忆阻器;研究动机;存储墙问题;已有半导体存储器的局限;性能对比;RRAM;发展概况;阻变机理; 一般而言，具有单极性转变的器件，是由焦耳热引发的导电细丝的氧化还原反应，SET 转变过程是由于阻变氧化物的局部化学还原反应形成的，而 RESET 则为导电细丝的再氧化过程，普遍认为还原/再氧化行为是 SET 和 RESET 过程中不同温度决定的 .与 RESET 过程相比，SET 过程更高的操作电压跟高的局部温度． 因此，高的 SET 转变温度以及 RESET 操作电流，使得器件的能耗过大．双极性电阻转变是通过电场作用下离子的迁移(主要是氧空位的迁移) 改变导电细丝的形状和导电性实现的．SET 过程中，利用限制电流控制导电细丝的尺寸． 研究表明，随着限制电流的减小，I RESET 也随着减小，而Ｒ LRS 则随之增大，也就是说，在 SET 过程中，限流值越大时，导电细丝尺寸会越大，由此则会导致更小的 Ｒ LRS 值 和更大的 I RESET 值．;金属导电细丝的形成过程;氧空位导电细丝的形成过程;界面肖特基势垒模型;性能优化;阻变层掺杂;电极的选取;界面处理:;结构优化;为了解决这种串扰问题，提出了三种结构:1T1R，1D1R和具有自整流特性的 1Ｒ 结构，图 11 所示为此三种结构的 3D 示意图． 1T1Ｒ 结构单元的最小尺寸是由选择晶体管的尺寸来决定，这种集成结构的单元面积大，可缩小性受到晶体管的限制，并且这种平面集成方式不利于 3D 的堆叠，而 1D1Ｒ 结构和 1Ｒ 结构都没有这样的缺陷，被认为是解决串扰现象理想的结构．因此，选用适当的堆叠结构，再利用其他改善性能的方法，可以制备出性能优越的阻变存储器器件．;内容;相变存储器发展历程;相变存储器发展历程;相变材料特性;相变机理;工作原理;工作原理;工作原理;工作原理;器件结构设计;器件结构设计;器件结构设计;器件结构设计;相变单元结构设计;相变单元结构设计;相变单元结构设计;读写电路设计;读写电路设计;写方案;读方案;读写电路设计;实际产品举例;实际产品举例;实际产品举例;END THANK YOU!