苏州大学 电子电工技术_chap5-1.ppt

IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 5）、集电极最大允许功耗PCM PC=ICUCE 集电极电流IC流过三极管，必定导致结温上升，所以对PC有所限制： PC?PCM 5.2.1 概论 电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。 电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表示，如图。 ui uo Au 5. 2 基本放大电路的组成和放大原理 一 放大电路的性能指标 (1)电压放大倍数Au Ui和Uo分别是输入和输出电压的有效值。 (2)输入电阻ri 放大电路一定要有前级（信号源）为其提供信号，那么就要从信号源取电流。输入电阻是衡量放大电路从其前级取电流大小的参数。输入电阻越大，从其前级取得的电流越小，对前级的影响越小。 Au Ii ~ US Ui 输入电阻： (3)输出电阻ro Au ~ US 放大电路对其负载而言，相当于信号源，我们可以将它等效为戴维南等效电路，这个戴维南等效电路的内阻就是输出电阻。 ~ ro (4)通频带 f Au Aum 0.7Aum fL 下限截止频率 fH 上限截止频率 通频带： fbw=fH–fL 放大倍数随频率变化曲线 二 符号规定 UA 大写字母、大写下标，表示直流量。 uA 小写字母、大写下标，表示全量。 ua 小写字母、小写下标，表示交流分量。 uA ua 全量 交流分量 t UA直流分量 一 基本放大电路的形式 三极管放大电路有三种形式 共射放大器 共基放大器 共集放大器 以共射放大器为例讲解工作原理 5. 2.2 基本放大电路的组成 ui 输入 uo 输出 二 放大电路的组成 RB +EC EB RC C1 C2 T 放大元件iC=?iB，工作在放大区（保证集电结反偏，发射结正偏）。 输入、输出回路的共同端--零电位的参考点。 放大电路的组成 RB +EC EB RC C1 C2 T 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容滤波只输出交流信号。 * * 第五章 交流放大电路 § 5.1 半导体器件 § 5.2 基本交流放大电路的组成 § 5.3 放大电路的分析 § 5.4 静态工作点的稳定 § 5.5 射极输出器 § 5.6 多级放大电路 § 5.7 放大电路中的负反馈 ? PN结正向偏置（P区加正电压、N区加负电压） R P N I=0 若PN结上外加正向电压，P端电位 高于N端电位，则PN结正向电阻很 低，此时有正向电流由P区流向N 区，PN结处于导通状态。 R P N I ? PN结反向偏置（P区加负电压、N区加正电压） 若PN结上外加反向电压，P端电位 低于N端电位，此时PN结上电阻很 高，反向电流很小，PN结处于截 止状态。 §5.1.1 二极管的基本结构和伏安特性 二极管是一个PN结，PN结具有单向导电性。 P N 1 基本结构 PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管 引线 外壳线 触丝线 基片 P N 阳极 阴极 二极管的表示符号 点接触型 阴极引线 底座 金锑合金 铝合金小球 阳极引线 PN结 N型硅 面接触型 2 伏安特性 U I 导通压降 硅管0.7V,锗管0.3V 反向击穿电压U(BR) 死区电压 硅管0.5V, 锗管0.2V 正向 反向 伏 毫安 微安 正向时：当正向电压小于一定数值时，电流很小，几乎为零，这个正向电压为死区电压；当正向电压超过死区电压后，二极管导通，电流随电压的增加成指数增加。 U I 导通压降 硅管0.7V,锗管0.3V 反向击穿电压U(BR) 死区电压 硅管0.5V, 锗管0.2V 正向 反向 伏 毫安 微安 反向时：当反向电压低于某数值以前，电流很小，该电流称为反向饱和电流。 当反向电压超过某数值后，反向电流急剧加大，二极管失去单向导电性，被击穿，这时的电压称为反向击穿电压 伏安特性 3、主要参数 （1）最大整流电流 IOM （3）反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 （2）最高反向工作电压 URM 允许加在二极管的反向电压的峰值，一般给出击穿电压的1/2~2/3作为最高反向工作电压，以确保二极管安全工作。 （4）最大反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小(几个微安以下），锗管的反向电流要大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数。 下面介绍交流参数。 （5