山东理工模拟电子第1章.pptVIP

例1.3.1 电路如图1.3.7(a)所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V(1)试分别用理想模型和恒压降模型求UR的值。(2)当二极管VD反接，电路如图1.3.7(b)所示，试分别用两种模型求UR的值。 例1.3.2 电路如图1.3.9所示，其中El＝7V，E2＝5V，E3＝6V，设二极管的导通电压0.6V。分别估算开关S在位置1和位置2的输出电压Uo的值。 电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 例2： 取 B 点作参考点， D 6V 12V 3k? B A UAB + – 断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 取 B 点作参考点， V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通 例3: 求：UAB B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – 二极管可看作短路，UAB = 0 V D1截止。 断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例4： ui 18V 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – uo ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 8V 第1章 半导体二极管及其应用电路 1.1 半导体的导电特性 1.2 PN结的形成及特性 1.3 二极管 1.4 特殊二极管 概念：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。 1.1 半导体的导电特性 半导体 ＋14 2 8 4 Si ＋32 2 8 18 4 Ge 简化模型 大多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge)。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 1.1.1 本征半导体及其导电特性 概念：纯净的、具有晶体结构的半导体。 价电子 共价键 当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 若 T ? ， 将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子， 在原来的共价键中留下一个空位，成为空穴。 空穴可看成带正电的载流子。 自由电子 空穴 载流子：运载电荷的粒子。 自由电子（带负电） 空穴（带正电） 复合 　　（1）本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为 电子 - 空穴对。 　　（2）由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 　　（3）载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高，基本按指数规律增加。 常温下，本征半导体导电能力差。 本征半导体相关结论： 自由电子和空穴的浓度相等 。 杂质半导体 N 型半导体 P 型半导体 1.1.2 N型半导体 (电子型半导体) 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 + 5 价杂质元素，如磷、锑、砷等。 杂质原子最外层5个价电子。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 自由电子 施主原子 N 型半导体 多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n p 。 自由电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。 半导体主要靠自由电子导电。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 ＋3 价杂质元素，如硼、镓、铟等。 +3 空穴浓度大于自由电子浓度，即 p n。 空穴为多子， 自由电子为少子。 P 型半导体 1.1.3 P 型半导体 (空穴型半导体) 半导体主要靠空穴导电。 空穴 受主原子 　　1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。 3. 杂质半导体的表示方法： 　　2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。 (a)N 型半导体 (b) P 型半导体 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。