第二章微机电系统功能材料 微机电系统技术基础课件.pptVIP

微机电系统技术 第二章微机电系统功能材料 概述 半导体硅及其化合物是制造大多数微机电系统的主要材料。同时，其他材料，如压电陶瓷、氧化锌、石英等电致伸缩材料、镍铁合金磁致伸缩材料、镍钛合金形状记忆材料以及具有某些特殊功能的聚合物、复合材料及人工构造薄膜材料 微机电系统功能材料 2.1 硅材料 2.1.1 单晶硅 一.硅材料有很多的优点： 比铝轻，比不锈钢的拉伸强度高，硬度高，弹性好，抗疲劳； 一般条件下抗腐蚀性好，耐高温； 现有的硅加工技术成熟，加工精度高，可以降低研制费用； 可以将传感、致动部分和电路部分集成在一块芯片上。 微机电系统功能材料 二.硅晶体结构 微机电系统功能材料 2.1.2 多晶硅 多晶硅是许多单晶（晶粒）的聚合物。 晶界：晶粒与晶粒之间的部位叫晶界。晶界对多晶硅电特性的影响可以通过控制掺杂原子浓度来调节。用到的公式如下： R(t)=R0exp[aR(t-t0)] R0—温度为20 0C时的电阻 t—实时温度 aR—电阻温度系数， t0=20 0C 微机电系统功能材料 多晶硅的优点： （1）与单晶硅压阻膜相比，多晶硅压阻膜可以在不同的材料衬底上制作。 （2）在相同工作温度下，多晶硅压阻膜与单晶硅压阻膜相比，可更有效地抑制温度漂移，有利于长期稳定性实现。 （3）多晶硅电阻膜的准确阻值，可以通过光刻获得。 （4）具有较宽的工作温度范围（-60—300 oC）。 微机电系统功能材料 2.1.3 硅-蓝宝石 蓝宝石（Sapphire）晶体——最硬的氧化物晶体，是氧化铝（Al2O3）最基本的单晶形态。 它具有高强度、高硬度，耐高温、耐磨擦、耐腐蚀，透光性能好、电绝缘性能优良等一系列优良的理化特性。 广泛用于国防、科研、民用工业等各种要求苛刻的领域。 微机电系统功能材料 2.1.4 化合物半导体材料 硅是制作微电子器件和装置的主要材料。为了提高器件和系统的性能以及扩大应用范围，化合物半导体材料在某些专门技术方面起着重要作用。如：红外及紫外成像器和探测器。 禁带能量宽度Eg和极限波长?由下式决定： ?=1.24/ Eg 微机电系统功能材料 2.1.5 SiC薄膜材料 SiC是另一种在特殊环境下使用的化合物半导体。 SiC材料优良的特性：具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、高电子饱和速度及优良的力学和化学性能。 这些特性使SiC材料适合制造高温、高功率及高频率电子器件时选用，也适合制造高温半导体压力传感器时选用。 Applications Environmental Gas Analysis Medical Gas Analysis Flame Spectroscopy Optical Pyrometry NDIR Spectroscopy Defense Applications Lead Selenide (PbSe) photoconductive (PC) detectors designed for operation in the 2-6 μm wavelength region 硒化铅探测器（PbSe) 中波红外(3~5 μm)锑化铟(InSb)、碲镉汞探测器 (HgCdTe) MCT (HgCdTe) photoconductive detectors have a decreasing resistance with increasing infrared light. The spectral response of HgCdTe can be changed by adjusting the stoichiometry of the detector. Peak sensitivity can vary from 3.6 μm to 17 μm, while the cut-off wavelength can vary from 5.5 μm to 22 μm. Cross section of a basic HgCdTe photoconductor. The n-type layer of HgCdTe is approximately 10 μm thick. Typical photoconductors are passivated with anodic oxide and antireflection coated with zinc sulfide. AR镀膜是一种采用无机化学原材料, 利用高级真空镀膜机,一种互相干涉的光学制式的多层镀膜, First generation HgCdTe