光纤技术课件 第二章光纤系统转换器与元件连接.ppt

内 容 一、光源二、光探测器 三、光纤连接器和固定接头 四、光纤定向耦合器 （1）输出功率特性 2、典型光源 振荡条件 当增益超过由部分反射和散射等多种因素引起的总损耗，经过谐振腔的选频作用，特定频率的光波在谐振腔内积累能量并通过反射镜射出，形成激光（相干光）。 振幅条件 相位条件： 半导体光源又可分为发光二极管(LED)和半导体激光器(LD)。这两种器件结构不同，但却包含相同的物理机理。主要差别： 发光二极管输出非相干光； 半导体激光器输出相干光。 a. 发光二极管LED 对于光纤通信系统，如果使用多模光纤且信息比特率在100～200Mb/s以下，同时只要求几十微瓦的输入光功率，那么LED是可选用的最佳光源。 比起半导体激光器，因为LED不需要热稳定和光稳定电路，所以LED的驱动电路相对简单，另外其制作成本低、产量高。 LED的主要工作原理对应光的自发发射过程，因而是一种非相干光源。 LED发射光的谱线较宽、方向性较差，本身的响应速度又较慢，所以只适用于速率较低的通信系统。 在高速、大容量的光纤通信系统中主要采用半导体激光器作光源。 b. 半导体激光器LD 半导体激光器的优点：尺寸小，耦合效率高，响应速度快，波长和尺寸与光纤尺寸适配，可直接调制，相干性好。 3）半导体激光器的空间模式 4）调制特性 下图为半导体激光器的直接调制的原理图。 半导体激光器的空间模 半导体异质结激光器 半导体激光器模式分布 光电导效应：电导率发生变化 光生伏特效应：产生电位差 光电磁效应 光电子发射效应 根据光的量子理论，每个光子具有能量hv。当光照射在某些金属、金氧化物或半导体表面上时，如果光子能量足够大，则电子吸收光子能量后就逸出材料表面成为光电子。这种效应称为光电子发射或外光电效应，可用爱因斯坦方程来描述 光电导效应：当光照射在某些半导体材料时．若光子能量足够大，则某些电子吸收光子能量．从原来的束缚态变成导电的自由态。这时在外电场作用下流过半导体的电流会增大，即半导体的电导增大，这种现象称为光电导效应。 光照→光生载流子（自由电子-空穴对） →电导率增加 光生伏特效应 PN结光生伏特效应：当光照PN结时，由于半导体对光的吸收而产生了光生电子和空穴．它们扩散进入结区，在PN结内建电场的作用下就会向相反的方向移动和积聚，在N区和P区两端产生电位差。 2、半导体光电探测器 在光纤传感系统中所用探测器，多数是半导体光电探测器。 主要有四种： PIN光电二极管 雪崩光电二极管(APD) PIN—FET混合微型组件 光电导探测器 光电倍增管结构示意图 常用连接器类型 常用连接器类型 常用连接器类型 连接头端面类型 无源器件 耦合器（coupler） 主要功能再分配光信号 重要应用在光纤网络 尤其是应用在局域网 在波分复用器件上应用 无源器件 耦合器（coupler） 基本结构耦合器是双向无源器件基本形式有树型、星型——与耦合器对应的有分路器（splitter） 无源器件 耦合器 以图形表示 无源器件 波分复用器WDM—Wavelength Division Multiplexer在一条光纤中传输多个光信号，这些光信号频率不同，颜色不同。波分复用器就是要把多个光信号耦合进同一根光纤中；解波分复用器就是从一根光纤中把多个光信号区分出来。 无源器件 波分复用器（图例） 光敏面 电极 （3）CCD 阵列探测器 … 少数载流子 金属 氧化层 ＋VG P-Si 电子势阱 电子势阱可以用来存放电子. 势阱的深度由VG的大小来控制。 CCD 阵列探测器工作原理 光 CCD摄像器件的组成 CCD摄像器件由光敏单元、转移栅和电荷转移单元（读出移位寄存器）组成。 转移栅 光敏面 CCD ?1 ?2 ?3 三相控制方式电荷转移过程 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 (a) Ф1 Ф2 Ф3 t0 t1 t2 t3 t Ф (b) t=t0 t=t1 t=t2 t=t3 0 3．光电倍增管 光电倍增管是典型的光电子发射型探测器，其主要特点是：灵敏度高，稳定性好，响应速度快以及噪声小；但结构复杂，工作电压高和体积大。它是电流放大器件，具有很高的电流增益，特别适用于微弱光信号的探测。因此，光电倍增管有极高的灵敏度。在输出电流小于1mA的情况下，