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N阱硅栅CMOS工艺流程 电子器件与工艺课件
N阱硅栅CMOS工艺流程
初始氧化
光刻1，刻N阱
N阱形成
Si3N4淀积
光刻2，刻有源区，场区硼离子注入
场氧1
光刻3
场氧2
栅氧化，开启电压调整
多晶硅淀积
光刻4，刻NMOS管硅栅， 磷离子注入形成NMOS管
光刻5，刻PMOS管硅栅， 硼离子注入及推进，形成PMOS管
磷硅玻璃淀积
光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流（图中有误，没刻出孔)
蒸铝、光刻7，刻铝、 光刻8，刻钝化孔 （图中展示的是刻铝后的图形）
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