ATP饱和变压器元件.pdfVIP

版权申明 本手册的中文版是EMTP-ATP中国分委会根据EMTP-ATP软件包附 带的原版英文资料，组织北京交通大学电气工程学院电力系统及其自 动化专业 2005 级和 2006 级的硕士和博士研究生共 64 人，历时三个 月翻译、整理和校对而生成的。其中，杨媛同学和吴燕同学校对了所 有的初稿，付出了巨大的劳动。在此，EMTP-ATP 中国分委会向所有 参加本次翻译工作的老师和同学表示崇高的敬意和诚挚的感谢。由于 时间仓促，错误和不当之处在所难免，欢迎大家提出宝贵的意见，以 便我们在以后的版本升级中改进。 本手册的翻译工作，只是EMTP-ATP中国分委会推动本软件的本地 化，促进本软件在中国的普及与应用工作中的一部分。欢迎大家光顾 我们的官方网站，并对我们的工作提出批评和建议。 本手册中文版的版权归属 EMTP-ATP 中国分委会所有，所有中国 分委会的会员必须遵守入会时签署的协议，未经许可不得拷贝、复制 和传播本手册的内容，或用于其他商业目的。 EMTP-ATP中国分委会主席 吴俊勇 教授 2007 年4 月12 日 说明书 可选择暂态程序 RB-04E.PDF IV ．E ．饱和变压器元件 1 IV ．E ．饱和变压器元件 “饱和变压器模型是一个不支持程序：他必须在一个实际的电气网络中设置数据，它 应该位于一组元件分支之中。这一模型的输出变量在 80 列标志得到的变量后面: -激磁电抗支路的电压 -激磁电抗支路的电流 -绕组 1 的电流 接下来要说明的是单相和三相 绕组变压器（ 或 ）的数据输入模板。 N N 2 3 尽管存储选项在三相三柱型或五柱核心型变压器参数设置中要求设置，但两者模型却是 相同的。 另一方面，对于三相三柱型变压器，这是一个完全不同的模型，需要考虑磁路的单极性。 所以，这些模型需要单独讨论。 IV ．E ．1 单相模型 单相双绕组变压器如图 1 所示。 这里涉及到单相双绕组理想变压器模型，因而提供了绕组 2 与绕组 1 之间的变比。 两个绕组与漏阻抗（漏电阻R 和漏电感L ）有关。还注意到漏阻抗的值并不需要从短 k k 路阻抗中得到。漏电抗L2不能为零，但漏电抗L1可以为零值。 1电路中的单相非线性电抗（如图 1 。因而饱和分支与中性点 饱和作用限于绕组 所示） 相连，但这并不是最好的联结点，理想的非线性电感应该连接到等值星形电路中性点，这里 的整体电压等于铁心磁通。正常情况下，绕组应该与铁心距离最近，它能够考虑到三种不同 的激磁特性： -在饱和情况下，98 型假的非线性电抗模型在其中的使用。为了获得必要的数据，在不 同的电压等级下给与激励并测量电压和相关电流，由此得到伏安（V ，I ）特性曲线。