第7章 存储器简介 电力数电教学课件.ppt

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第7章 存储器简介 电力数电教学课件

在多字1位结构中,每个寄存器都只有1位,例如一个容量为1024×1位的RAM,就是一个有1024个1位寄存器的RAM。 在多字多位结构中,每个寄存器都有多位,例如一个容量为256×4位的RAM,就是一个有256个4位寄存器的RAM。 * * 存储器定义: 用以存储二进制信息的器件。 存储器分类:根据使用功能的不同,可分为两大类: (1)随机存取存储器(RAM) 优点: 既能随时读出所存数据,又能随时写入新的数据 缺点: 一旦掉电,所存的数据全部丢失,即具有易失性。 (2) 只读存储器(ROM) 缺点: 所存内容只能读出不能写入。 优点:存储的数据不会因断电而消失,即具有非易失性。 第7章 存储器简介 ROM的分类 掩膜ROM:不能改写。 PROM:只能改写一次。 EPROM:可以改写多次。 存储器的容量:存储器的容量=字长(n)×字数(m) §7.1 只读存储器(ROM) 7.1.1 ROM的结构及工作原理 1、ROM的结构 存储容量=字线数×位线数=2n×b(位) 存储单元地址 2、ROM的工作原理 4×4位ROM 地址译码器 (输入2位地址码,译出4个不同的地址。) 存储体(每根字线和位线的交叉处是一个存储单元,它由二极管或三极管或MOS管充当。交叉处有管子的单元存储1,无管子的存储0。) 存储内容 A1=0A0=0 W0=1 W1=0 W2=0 W3=0 D3=1 D1=1 D0=1 D2=0 A1=0A0=1 W0=0 W1=1 W2=0 W3=0 D3=0 D1=0 D0=1 D2=1 A1=1A0=0 W0=0 W1=0 W2=1 W3=0 D3=1 D1=0 D0=0 D2=1 A1=1A0=1 W0=0 W1=0 W2=0 W3=1 D3=0 D1=1 D0=1 D2=1 ROM的简化画法 地址译码器产生了输入变量的全部最小项 存储体实现了有关最小项的或运算 与阵列固定 或阵列可编程 连接 断开 7.1.3 ROM的容量扩展 EPROM芯片27256 正常使用时,VCC=5V,VPP=5V。编程时,VPP=25V。 OE为输出使能端,OE=0时允许输出;OE=1时,输出被禁止,ROM输出端为高阻态。 CS为片选端,CS=0时,ROM工作;CS=1时,ROM停止工作,且输出为高阻态(不论OE为何值)。 1、位扩展(字长的扩展) 地址线及控制线分别并联 输出一个作为高8位,另一个作为低8位 用两片27256扩展成32k×16位EPROM 2、字扩展(字数扩展,地址码扩展) 用4片27256扩展成4×32k×16位EPROM OE端、输出线及地址线分别并联 高位地址A15、A16作为2线-4线译码器的输入信号,经译码后产生的4个输出信号分别接到4个芯片的CS端 本节小结   只读存储器在存入数据以后,不能用简单的方法更改,即在工作时它的存储内容是固定不变的,只能从中读出信息,不能写入信息,并且其所存储的信息在断电后仍能保持,常用于存放固定的信息。   ROM由地址译码器和存储体两部分构成。地址译码器产生了输入变量的全部最小项,即实现了对输入变量的与运算;存储体实现了有关最小项的或运算。因此,ROM实际上是由与门阵列和或门阵列构成的组合电路,利用ROM可以实现任何组合逻辑函数。    定义 RAM: 由许许多多的基本寄存器组合起来构成 的 大规模集成电路。 字位: RAM中的每个寄存器称为一个字,寄存 器中的每一位称为一个存储单元。 容量: 寄存器的个数(字数)与寄存器中存储单 元个数(位数)的乘积,叫做RAM的容量。 分类 按照RAM中寄存器位数的不同,RAM有多字1位 和多字多位两种结构形式。 7.2 随机存取存储器 RAM简介 一、RAM的结构 由大量寄存器 构成的矩阵 用以决定访问 哪个字单元 用以决定芯 片是否工作 用以决定对 被选中的单元 是读还是写 读出及写入 数据的通道 容量为256×4 RAM的存储矩阵 存储单元 1024个存储单元排成 32行×32列的矩阵 每根行选择线选择一行 每根列选择线选择一个字列 Y1=1,X2=1,位于X2和Y1交叉处的字单元可以进行读出或写入操作,而其余任何字单元都不会被选中。

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