工程电磁场 杨宪章 第一章 静电场(一).pptVIP

* 同理cd线段中点处，电场强度z方向分量为 沿cd段电场强度的线积分为 (1-67) 同理沿线段da及bc的电场强度的线积分分别为 (1-69) (1-68) 沿微小闭合矩形回路abcda的电场强度矢量的环路积分为 (1-70) * 场强 的旋度的x向分量 的直角坐标系表达式为 (1-71) 静电场中E的环路积分恒为零 (1-72) (1-75) 同理 (1-73) (1-74) 因而直角坐标系下场域中任意一点A的电场强度 的 直角坐标系中场强 的旋度表达式可记为 (1-77) * 故 与 等效。 场强 的旋度方程，又称为微分形式的 的环路定理。旋度恒为零的场称之为无旋场，旋度不恒为零的场称为之为有旋场。静电场的旋度恒为零，说明静电场不存在旋涡线、旋涡点，因而说静电场是无旋涡场或无旋场。 静电场中旋度恒为零与静电场是一个梯度场，都是由电场强度 的环路定理所得，它们同样是描述场域中点的特性的. 在数学关系上，有 2.物理意义 * 例1-10求矢量场 的旋度 解 由直角坐标系中的旋度公式 * §1-11 泊松方程与拉普拉斯方程 泊松方程与拉普拉斯方程 (1-81) (1-80) 或 在直角坐标系下，式(1-80)具有下述形式 (1-83) (1-82) 若将其代入式(1-82)，则得 静电场中两个微分形式的定理为 1.推导 * 当空间介质均匀或空间介质分区均匀，则对介质均匀的区域而言，媒质的电容率ε为常数，故由式(1-83)得 ? (1-84) 若在空间场点处不存在自由体积电荷，则有 泊松方程与拉普拉斯方程，是由静电场的两个微分形式的基本定理和场量间的特性方程 综合而成，场的两个微分形式的定理，是描述位函数在场域内部点上(不包括边界点)所满足的特性方程。因而求解静电场的问题，转化为(在给定解条件下)求解泊松方程与拉普拉斯方程的问题。 (1-85) 泊松方程 拉氏方程 2.物理意义 * 在直角坐标系中，哈密尔顿算子定义为  哈密尔顿算子是一个矢性微分运算的符号参与运算时，一方面可以利用矢量代数的运算法则，另一方面又可以利用微分法则。 哈密尔顿算子 (1-86) (1)? 算子“ ”作用于标量函数φ(x，y，z) (1-87) (1-88) * (2)? 算子“ ”作用于矢量函数 (1-89) (1-90) (1-91) * (3)拉普拉斯算子 泊松方程在直角坐标系中的表达式即为式 (1-99) 则有 (4)由二重矢量积有 * 根据运算结果，证明了 满足拉普拉斯方程 例1-11证明在圆柱坐标系下，函数 满足拉普拉氏方程 证明 由圆柱坐标系中拉普拉斯算子 的表达式，得 * §1-12 静电场的边值问题 对于一个具体的场来说，不同的边界约束条件，就有不同的分布状态，通常将能够正确说明边界上约束情况的条件，即边界约束条件，称之为边界条件。给定此场域的边界形状及未知函数在边界上某种形式的值，称之为给定边界约束条件或给定边界条件。上述求解问题，称之为静电场的边值问题。 静电场的边界，大致由三种情况的边界面组成：一种是导体表面，其次是介质分界面，再其次就是无限远处场的外边界。 * 通常导体表面的边界条件有如下几种类型： 一、给定某导体i的电位值Ci (由于导体是等位体，因而对于导体i的表面而言，其各点的电位值应是同一已知常数Ci)。 二、给定某导体i表面每一点的自由电荷面密度σi实际上，往往很难事先知道导体表面各点的自由电荷面密度，因而通常会遇到的另一种情况是，给定某导体的电荷总量qi，另外限定所求的电位函数必须满足导体表面为等位面这一要求。 三、给定静电场中某些导体的电位值，同时给定另外一些导体的电荷量(或一些导体表面每点的自由电荷面密度)，即场的所有赋值的边界由上面二种情况组合而成。 * 根据边界条件的分类，静电场边值问题的提法有三类： 第一类边值问题(称为狄里赫希问题) 给定每一导体表面电位值，即 (已知常数) 在不同介质交界面，满足连接条件，即  当电荷分布于有限空间时，指定在场的无限远边界处电位为零。即 (有自由电荷体密度区域) (无自由电荷体密度区域)  (分界面上无自由面电荷) * 第二类边值问题(称为诺以曼问题) (无自由电荷体密度区域) (有自由电荷体密度区域