全In组分可调InGaN的分子束外延生长精选.pdfVIP

中国科学：物理学 力学 天文学 2015年 第45卷 第6期：067301 《中国科学》杂志社 SCIENTIA SINICA Physica，Mechanica＆Astronomica phys．scichina． com SCIENCECHINA PRESS 全 In组分可调 InGaN的分子束外延生长 王新强①②，王平④，刘世韬①，郑显通①，马定宇①，沈波①② ① 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学物理学院，北京 10087l： ② 量子物质科学协I~EJ,新 中心，北京 100871 联系人，E—mail：wangshi@pku．edu．cn 收稿 日期：2015—03．26；接受 日期：2015．04—16；网络出版 日期：2015—04—29 国家高技术研究发展计划(编号：2011AA050514)．~11国家 自然科学基金(批准号61376060，61411130214)~．助项 目 摘要 Ⅲ族氮化物 InxGa1 合金为直接带隙半导体，其禁带宽度随着 In组分变化从3．43eV(GaN)到0．64 eV(InN)连续可调，波长范围覆盖了0．3—1．9gm，具有电子饱和速度高和光学吸收系数大等特点，是制备高效 率全光谱太阳能电池和白光照明器件的理想材料．由于缺少合适的衬底，InN和 InGal 薄膜通常生长在 蓝宝石或 GaN模板上．本论文综述了采用 MBE方法，在蓝宝石衬底和 GaN模板上生长了InN 和全组分 nI~Ga— 薄膜的生长行为和材料物理性质．利用MBE边界温度控制法在蓝宝石衬底上生长高室温电子迁移 率的InN薄膜，利用温度控制外延法在GaN／蓝宝石模板上制备了全组分nIxGal— 薄膜． 关键词 InN，lnxGal。 ，分子束外延 PACS：73．61．Jc，71．20．Mq，71．20．Nr，68．55．ag，78．66．一w，73．50．一h，73．61．一r doi：10．1360／SSPMA2015．00114 引言 光器件的核心。A1GaN量子阱是紫外发光波段的主要 材料，而 A1GaN／GaN 异质结构则是电力电子器件和 以GaN为代表的III族氮化物半导体 以其优异的 微波通讯器件的核心材料． 材料性质受到了研究人员和产业界的广泛关注．以 2002年之前，研究者一直认为 InN 的室温禁带 InGaN 量子阱材料为核心的发光二极管取得了巨大 宽度为 1．9eV，故III族氮化物均称为宽禁带半导体． 的进展，是半导体照明的基础．2014年，以解决 GaN 2002年，美国和俄罗斯的科学家同时证实 InN 的室 材料的晶体质量、实现了GaN 的P型掺杂从而实现 温禁带宽度大约为 0．7eVll2】，从而掀起了一波研究 高效率蓝光 LED 的三位 日裔科学家赤崎勇，天野浩 InN和高In组分InGaN的热潮，目前比较公认的InN 和 中村修二获得 了诺 贝尔物理学奖，充分说 明了 室温禁带宽度在 0。64eV左右。InN窄禁带的发现意味 GaN基 LED对科学和人民生活的贡献．目前研究的 着 InGaN 材料的禁带宽度从 0．64eV(InN)~43．4 氮化物宽禁带半导体材料，以 InN—GaN—A1N 这三者 eV(GaN)连续可调，只要改变 InGaN 三元合金中 In 及其合金为主。其中 InGaN 量子阱是可见光波段发 与Ga的比例，便可获得 0．63—3．4eV范围内各种不同 王新强等． 中国科学：物理学 力学 天文学 2015年 第 45卷 第 6期 的禁带宽度，从而在理论上可 以制作从红外到紫外 波段的光电器件．In组分可调的InGaN材料 的吸收范 围和太阳光谱几乎完美匹配，从而可以制作高效太 阳能电池，是一种极好的