掺杂-微电子制造技术PPT.ppt

注入能量 (keV) 投影射程 Rp (mm) 10 100 1,000 0.01 0.1 1.0 B P As Sb 注入到 硅中 Figure 17.8 注入能量对应射程图 投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴) 投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴) 入射离子的能量损失模型 在入射离子进入靶时，每个离子的射程是无规则的，但对大量以相同能量入射的离子来说，仍然存在一定的统计规律性。在一定条件下，其射程和投影射程都具有确定的统计平均值。为了确定入射离子的浓度(或射程)分布，首先应考虑入射离子如何与靶中原子核和电子发生碰撞而损失能量的过程。因原子核和电子的质量差别很大(几个数量级)，所以这两种碰撞机构的情况是不同的。 因此，可以把入射离子能量的损失分为两个彼此独立的过程，即入射离子和原子核的碰撞及入射离子和电子的碰撞两个过程来处理。 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si X-射线 电子碰撞 原子碰撞 被移动的硅原子 携能杂 质离子 硅晶格 Figure 17.9 注入杂质原子能量损失模型 轻离子冲击 重离子冲击 Figure 17.10 轻离子和重离子引起的晶格损伤 入射粒子在硅片中的分布 入射粒子在硅片中的分布，一般取如下形式的高斯分布函数，即 由此解得峰值浓度 NMax N(x) RP xp △RP 离子注入机 离子注入机包括以下5个部分： 离子源 引出电极(吸极)和离子分析器 加速管 扫描系统 工艺腔 离子注入机示意图 离子源 分析磁体 加速管 离子束 等离子体 工艺腔 吸出组件 扫描盘 离子源 离子源和引出装置通常放置在同一真空腔 (图17.11)，用于从气态或固态杂质中产生正离子。 带正电的离子由杂质气态源或固态源的蒸汽产生。通常用到的B+,P+,As+，Sb+都是电离原子或分子得到，最常用的杂质物质有B2H6,BF3,PH3,AsH3等气体。由于离子本身带电，因此能够被电磁场控制和加速。 另一种供应杂质材料的方法是加热并气化固态材料，这种方法有时被用于从固态小球中获得砷As+和磷P+。固态源的缺点是气化时间较长(约40～180分钟)。然而，从环境和安全角度出发，大多数IC制造商更愿意使用固态离子源。 Figure 17.11 离子源和吸极装配图 吸出组件 源室 涡轮泵 离子源绝缘体 起弧室 吸极 吸出组件 粒子束 前板 狭缝 起弧室 灯丝 电子反射器 气体入口 5 V 电子反射器 阳极 +100 V 起弧室 气化喷嘴 电炉 气体导入管 DI 冷却水入口 掺杂剂气体入口 Figure 17.12 Bernas 离子源装配图 吸极和离子分析器 吸极的作用是收集离子源中产生的所有正离子，并使他们形成粒子束。离子通过离子源上的一个窄缝得到吸引。 吸极由吸引装置的电狐室(阳极)的正排斥，以及吸引装置负压(阴极)的吸引(见图17.13)。由于正离子每个都带有正电荷，因此被吸向负电场。电场强渡越大，离子运动的就越快，动能也就越大，在硅片中穿行的距离就越长。 吸极的负电压偏置还能阻止等离子体中的电子，使正离子形成粒子束。负压偏置的印制电极可以把离子束聚束成一个平行束流，使其通过注入机。 +++++++ +++++++ --- - - - - - - - - - N S N S 120 V 起弧 吸出组件 离子源 60 kV 吸引 2.5 kV 抑制 源磁铁 5V 灯丝 To PA +粒子束 参考端 (PA电压) 抑制电极 接地电极 Figure 17.13 离子源和吸极交互作用装配图 质量分析器磁铁 石磨 离子源 分析磁体 粒子束 吸出 组件 较轻离子 重离子 中性离子 Figure 17.14 分析磁体 从离子源引出的离子可能包含许多不同种类的离子，他们在吸极电压的加速下，以很高的速度运动，因为不同离子有着不同的原子质量单位，而磁性离子分析器能将所需要的离子从混合的粒子束中分离出来，如图17.14所示。 分析器磁体形成的90度角能使离子的轨迹偏转成弧形。对于一定的磁场强渡，重离子不能偏转到合适的角度，而轻离子的偏转过大。只有一种离子能够发生恰当的偏转，顺利地通过分析器磁铁的中心，这就是最终注入到硅片中的杂质。 离子弧形轨迹半径由离子的质量、速度、磁场强渡和离子所带的电荷共同决定。通过将磁场强渡调整到与杂质离子的轨迹匹配，期望得到的杂质就能通过分析器末端的窄缝，而其它离子则被阻挡。 加速管 为了获