第五章节 双极型晶体管及相关器件.ppt

本章内容 双极型晶体管的工作原理 双极型晶体管的静态特性 双极型晶体管的频率响应与开关特性 异质结双极型晶体管 可控硅器件及相关功率器件 因为?0一般非常接近于1，使得β0远大于1，所以基极电流的微小变化将造成集电极电流的剧烈变化。下图是不同的基极电流下，输出电流-电压特性的测量结果。可见当IB=0时，集电极和发射极间还存在一不为零的ICEO。 在一共射组态的理想晶体管中，当IB固定且VEC0时，集电极电流与VEC不相关。当假设中性的基极区域(W)为定值时，上述特性始终成立。然而延伸到基极中的空间电荷区域会随着集电极和基极的电压改变，使得基区的宽度是集基偏压的函数，因此集电极电流将与VEC相关． 双极型晶体管的静态特性 当集电极和基极间的反向偏压增加时，基区的宽度将会减少，导致基区中的少数载流子浓度梯度增加，亦即使得扩散电流增加，因此IC也会增加。下图显示出IC随着VEC的增加而增加，这种电流变化称为厄雷效应，或称为基区宽度调制效应，将集电极电流往左方延伸，与VEC轴相交，可得到交点，称为厄雷电压。 双极型晶体管的静态特性 C I EC V 0 A V B I 例3：已知在一理想晶体管中，各电流成分为：IEp=3mA、IEn=0.01mA、ICp=2.99mA、ICn=0.001mA。求出共射电流增益β0，并以β0和ICBO表示ICEO，并求出ICEO的值。 解： 发射效率为 基区输运系数为 共基电流增益为 因此可得 所以 双极型晶体管的静态特性 前面讨论的是晶体管的静态特性(直流特性)，没有涉及其交流特性，也就是当一小信号重叠在直流值上的情况。小信号意指交流电压和电流的峰值小于直流的电压、电流值。 频率响应 高频等效电路：图(a)是以共射组态晶体管所构成的放大器电路，在固定的直流输入电压VEB下，将会有直流基极电流IB和直流集电极电流IC流过晶体管，这些电流代表图(b)中的工作点，由供应电压VCC以及负载电阻RL所决定出的负载线，将以一1/RL的斜率与VCE轴相交于VCC。 双极型晶体管的频率响应与开关特性 下图(a)是此放大器的低频等效电路，在更高频率的状况下，必须在等效电路中加上适当的电容。与正向偏压的p-n结类似，在正向偏压的射基结中，会有一势垒电容CEB和一扩散电容Cd，而在反向偏压的集基结中只存在势垒电容CCB，如图 (b)所示。 当一小信号附加在输入电压上时，基极电流iB将会随时间变动，而成为一时间函数，如右图所示。基极电流的变动使得输出电流iC跟着变动， 而iC的变动是iB变动的β0倍，因此晶体管放大器将输入信号放大了。 双极型晶体管的频率响应与开关特性 其中 称为跨导(transconductance) 称为输入电导(input conductance)。而基区宽度调制效应，将产生一个有限的输出电导。 另外，基极电阻和集电极电阻也都列入考虑。图(c)是加入上述各器件后的高频等效电路。 双极型晶体管的频率响应与开关特性 截止频率 ：在右上图中，跨导gm和输入电导gEB与晶体管的共基电流增益有关。在低频时，共基电流增益是一固定值，不会因工作频率而改变，然而当频率升高至一关键点后，共基电流增益将会降低。右下图是一典型的共基电流增益相对于工作频率的示意图。加入频率的参量后，共基电流增益为 其中?0是低频(或直流)共基电流增益，f?是共基截止频率，当工作频率f=f?时，?的值为0.707 ?0(下降3dB)。 双极型晶体管的频率响应与开关特性 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 10 1 . 0 1 0 a 0 b 10 2 10 3 10 dB 3 a b b f dB 3 a f T f 频率 Hz / 右图中也显示了共射电流增益，由上式可得 其中fβ称为共射截止频率 由于?0≈1，所以fβ远小于f?。 另外，一截止频率fT(又称特征频率)定义为β的绝对值变为1时的频率，将前式等号右边的值定为1，可得出 因此fT很接近但稍小于 f?。 双极型晶体管的频率响应与开关特性 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 10 1 . 0 1 0 a 0 b 10 2 10 3 10 dB 3 a b b f dB 3 a f T f 频率 Hz / 其中A是器件的截面积，p(x)是少数载流于的分布，空穴经过基区所需的时间τB为 特征频率fT也可以表示为(2πτT)-1，其中τT代表载流子从发射极传输到集电极所需的时间，它包含了发射区延迟时间τE、基区渡超时间τB以及集电区渡越时间τC。其中最主要的时间是τB。少数载流子在dt时段中所走的距离为dt＝v(x)dt，其中v(x)是基区中的少数载