第三章 存储器体系结构 微型计算机原理与应用 电子教案 教学课件.pptVIP

第3章 存储器体系结构 第3章 存储器体系结构 3.1 存储器概述 3.2 随机存取存储器RAM 3.3 只读存储器ROM 3.4 存储器与CPU的连接 3.5 存储器系统组成 3.6 磁表面存储器 3.7 光盘存储器 3.1 概 述 3.1.1 微型计算机存储器分类 3.1.2 存储器的主要性能指标 3.1.3 存储器的组成与读写过程 3.1.1微型计算机存储器分类 3.1.2 存储器的主要性能指标 3.1.3 存储器的组成与读写过程 3.2 随机存取存储器RAM 3.2.1 基本存储单元 3.2.2 随机存取存储器举例 3.2.3 双口存储器 3.2.1基本存储单元 3.2.2 随机存取存储器举例 （2）引脚功能 A14～A0 ：地址线，输入，15位。 D7～D0：数据线，双向，8位。 CE ：片选信号线，输入，低电平有效。 OE ：输出允许信号，输入，低电平有效。 R\W ：读/写控制信号，输入。低电平时，数据写入；高电平时，数据读出。 3.2.3 双口存储器 2. FIFO存储器 在计算机的内部常需要先存入的数据先读出，故产生了大容量FIFO。如图3.12所示的AM7205A是一种以2K×9的SRAM为核心的CMOS FIFO，其中D8～D0是数据输入口， Q8～Q0是数据输出口。 其中设有独立的写指针和读指针，分别指示数据的写入和读出操作。标志逻辑提供存储器满（Full）和存储器空（Empty）标志，低电平有效. W是写信号输入端,R是复位端。 复位信号RS低电平有效，复位后FIFO被初始化，写指针和读指针均指向0地址单元，即从0单元开始读写。 3.3 只读存储器ROM 3.3.1 固定只读存处器ROM 3.3.2 可编程只读存储器PROM 3.3.3 可改写只读存储器EPROM 3.3.4 电擦除与Flash快闪只读存储器 3.3.5 只读存储器举例 3.3.1 固定只读存处器ROM 3.3.2 可编程只读存储器PROM 若用二极管或多发射极晶体管构成，是在发射极与位线之间通过熔丝连接。若用MOS型三极管构成，是在漏极与地线之间通过电熔丝连接。 写入时，根据写入数据，有选择地通一大电流，将某些单元电路中的熔丝烧断。比如写入0的单元熔丝烧断，那么写入1的单元熔丝保留。 读出时，熔丝烧断的单元无电流输出，熔丝保留的单元有电流输出，即读出0或1。 由于熔丝在烧断以后不能再恢复，因此称为一次性写入只读存储器。 ３.3.3 可改写只读存储器EPROM 写入时，地址选中，T2管通，写入数据加在T3管的栅极。写入1时，T3管栅极加高电平，T3管通导，VC与VD之间加25V的高电压。当编程脉冲到来时T4管通导，25V的高电压直接加在待写入的浮空栅MOS管的源极和漏极之间，发生雪崩效应，能量大的电子穿过绝缘层注入浮空栅极中。编程脉冲结束，T4管截止，高电压断开，注入到浮空栅极中的电子被绝缘层包围而被保存下来，即写入了1；若写入0，T3管栅极加低电平，浮空栅MOS管不发生雪崩效应。 改写时，用紫外线照射芯片上面的窗口，使浮空栅极中的电子泄漏掉，然后写入。 3.3.4 电擦除与Flash快闪只读存储器 2. 快闪存储器Flash memory Flash存储器简称为闪存，与E2PROM类似，电擦写型ROM。区别是E2PROM按字节擦写，速度慢，闪存按块擦写，速度快。在结构上，Flash芯片分为串行和并行传输两大类型。前者容量较小，速度慢；后者容量大，速度快，存取时间约为65～170ns。 3.3.5 只读存储器举例 3.4 存储器与CPU的连接 3.4.1 存储器的扩展 3.4.2 8086CPU与存储器的连接 3.4.3 80486 CPU与存储器的连接 3.4.1 存储器扩展 例如两块2114构成1024×8位的存储器，如图3.23所示。其中地址线A9～A0连接到片内地址线上，A10用作片选信号。与CPU的连接如图3.24所示，每两块2114重叠使用,CS并连，由高位地址线选或译码产生。 3.4.2 8086 CPU与存储器的连接 3.4.3 80486 CPU与存储器的连接 为保持与8086等微处理器兼容，其存储器必须满足按单字节、双字节和4字节访问。单字节数据地址可以任意，双字节数据常以偶地址