离子刻蚀工艺表面演化仿真的三维元胞模型.pdfVIP

高技术通讯2013年第23卷第11期：1206～1212 doi：10．3772／j．issn．1002J0470．2013．11．叭6 离子刻蚀工艺表面演化仿真的三维元胞模型① 郑树琳② 宋亦旭③孙晓民 (清华大学计算机科学与技术系，智能技术与系统国家重点实验室 北京100084) 摘要 为了更好地理解和认识刻蚀机理，并为制造工艺提供优化指导，采用三维元胞模 型研究了离子刻蚀工艺的表面演化过程。针对三维元胞模型内存使用量大，采用了静态 数组和动态双向链表相结合的方式进行信息存储；提出了边界时间最短优先移动法，改进 了刻蚀离子入射轨迹计算量大的问题；通过一种降维分量拟合方法实现了刻蚀离子入射 角度的快速求解，并重点对用于拟合计算的表面元胞的选取方法进行了改进，提出了滚轮 搜索法，提高了拟合的准确度。将该模型应用到硅刻蚀工艺三维仿真中，其模拟结果与相 关实验结果对比，验证了该模型对刻蚀工艺描述的有效性。 关键字离子刻蚀，三维元胞模型，边界时间最短优先移动法，滚轮搜索法 求。另外，刻蚀侧壁的粗糙度是三维空间特有的属 O 引言 性，要考察诸如此类的属性信息，只能通过三维仿真 才能真正对它们进行建模¨3|。在离子刻蚀工艺仿 刻蚀不仅是集成电路制造中的重要工艺，同时 真中，离子的入射角度对刻蚀量的计算影响很大，是 也是微机电系统(MEMS)加工的重要手段‘1J。由于 仿真中的重要参数，不正确的角度计算会导致仿真 刻蚀涉及复杂的理化过程，因而对刻蚀过程的模拟 精度出现很大误差。1l14’15J。同时对离子入射轨迹的 则成为更好地理解和认识刻蚀机理的重要手段口。。 正确模拟，是准确找到离子入射点的前提，也是正确 目前用于模拟刻蚀表面演化过程的仿真模型主要有 计算入射角度的必要条件。离子的入射角度通常采 以下四种：线算法b’5J、射线算法∞J、水平集方法∽叫 用最小二乘法进行多项式拟合获得邛ll-，然而这种 和元胞模型13，8‘10|。元胞模型相对于其他三种方法， 直接多项式拟合求解法，需要对多元方程组进行求 虽然存在内存需求量较大和计算精度与运算时间的 解，计算量比较大，且拟合曲面不一定经过采样数据 矛盾较突出的缺点，但它的优势也是明显的：结构简 点，拟合精度比较低，还要小心处理病态方程组的求 单，稳定性好，易于从二维模型扩展到三维模型，并 解问题。由于仿真中需要模拟大量的离子入射，需 且更容易区分不同区域的材料属性，具有天然的并 要频繁进行入射轨迹计算和入射角度的求取，这两 行性。在离子增强刻蚀仿真中，需要充分考虑刻蚀 项计算量占了整个仿真过程的绝大部分计算时间， 离子对不同材料、不同轮廓的作用，利用元胞模型建 因此在离子刻蚀工艺仿真中，进一步提高这两部分 立相应的刻蚀模型，可以很容易地对不同材料轮廓、 的运算效率和计算精度就显得尤为重要。本研究着 属性进行划分，因此也使元胞模型成为进行刻蚀工 重探索基于三维元胞模型的离子刻蚀工艺表面演化 艺模拟的有效方法之一。 过程，通过采用静态数组和动态双向链表相结合的 目前基于元胞模型的刻蚀工艺仿真主要集中于 方式进行信息存储，减少模型的内存使用量。为了 二维剖面的模拟¨l’挖J，而对刻蚀对象的三维拓扑模 提高仿真的运算效率及计算精度，分别对离子入射 拟主要基于无限长沟槽的规则模型，并不考虑诸如 轨迹和人射角度的计算方法进行了改进，并对求解 拐角、圆孔等特殊形状，无法真正满足三维仿真的要 结果准确度和运算速度进行了对比，以验证方法的 ①国家科技重大专项(2叭1