释放保型软压印光刻工艺.pdfVIP

第43卷第8期 机械工程学报 V01．43No．8 2007年8月 JOURNALOF 2007 CHINESE MECHANICALENGINEEIUNGAug． 释放保型软压印光刻工艺木 刘红忠 丁玉成 卢秉恒 尹磊 蒋维涛 史永胜邵金友 (西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室西安710049) 摘要：针对压印过程中模具与晶圆密贴度和压印面积的矛盾，提出释放保型软压印光刻工艺。此工艺包括五步加 载过程，可充分挖掘压印图型转印误差根源以及图型转印保真度与阻蚀胶留膜厚度的内在矛盾。通过目标载荷量 的调节与控制将模具弹性回弹调整到紫外光固化步骤前，消除压印过程的内在矛盾，实现压印面积由2cm2向8锄2 的提升，同时保证阻蚀胶留膜厚度的要求。基于创新的释放保型软压印工艺，一套低成本及结构简单的压印光刻 原型机被设计构建，一系列压印结果证明应用此工艺的压印光刻机具有同场压印不同面积、特征尺寸结构图型的 多次复制能力。 关键词：释放保型弹性模具软压印 中图分类号：THll2THll3．1 90年代中期被美国明尼苏达大学提出，目前国内在 O前言 此领域的研究还比较的少。也采用传统的机械模具 微复型机理来代替包含光学、化学及光化学反应机 理的复杂光学光刻，是一种低成本、高效率的微细 随着微纳制造一超大规模集成电路(Inte掣ated elec仃0me． circuit’IC)及微纳机电系统(N锄o／micr0特征光刻技术路线。几的最小复型特征尺寸可以达 chaIlical 到6衄，因此有可能并存与NGL主流技术[7_9】。但 systems，N／MEMs)不断追求高集成密度、 低功耗指标，器件尺寸越来越小；决定特征尺寸的 是IL复型面积是制约此技术的一个瓶颈，关键因素 光学光刻分辨率与光波长成正比与数值孔径成反 在于模具与晶圆的密贴度及复杂的加载过程是否精 比，提高曝光分辨率的途径只有减小曝光光源波长 确控制。本文针对模具的选取、IL精确加载控制等 或增大数值孔径。目前，曝光方式从接触式、接近 做深入研究，并提出创新的压印光工艺来解决上述 式发展到投影式；光源从436 难题。 mn(G．1ine)、 365 nm(I．1ine)、248m(I：rF)到现在的193nm(舡F)； 1 数值孔径从O．35、O．45、0．55、0．60到0．70【11。当特IL弹性模具 征尺寸达到亚100姗以下，现有光学光刻相关技 术：曝光光源、光学透镜系统、定位系统和相配的 压印过程并非简单“盖图章”那么简单，图1 阻蚀胶等都必须得到改进[2】。如离轴照明技术和相 所示为硬模具盲目压印后的模板和图型转印结果。 移掩模技术、浸没透镜技术等作为目前提高光刻分 其中图1a为脱模后的石英硬模具表面，上面已经沾 辨率的新技术正处于研究和实验室阶段。为进一步 满了阻蚀胶颗粒，也就是说模具已经被污染破坏， 提高光刻分辨率，x射线、离子束投影、无掩模、 值得一提的是模具的制造是通过价格昂贵的电子束 电子束投影和电子束直写等光刻方式作为下一代光 直写得到的。图1b为图型转印的结果，模糊的图型 刻技术(Next 形貌只能说明压印的结果的失败。所以，首先要肯 generatio