水解酸化—厌氧—两级接触氧化工艺处理多晶硅废水中CODCr.pdfVIP

田 2012，v01．29 doi：10．3969／j．issn．1672—5425．2012．12．023 水解酸化一厌氧一两级接触氧化工艺处理 多晶硅废水中CoDQ 董俊1．一。刘鲁建1．-。吴靖霆2．刘卫勇2，王芳2。张双峰2 (1．武汉长江工商学院科亮生物工程研究院，湖北武汉430065； 2．湖北科亮生物工程有限公司，湖北武汉430065) 摘要：采用水解酸化一厌氧一两级接触氧化工艺处理多晶硅废水中CODc，，CoDcr去除率达到95％以上，出水符 合《污水综合排放标准》(GB 8978—1996)的一级排放标准。该工艺声进水营养单一的情况下，无需投加碳源，运行稳定， 具有抗冲击负荷能力强、产泥少、污泥处理费用低、运行成本低、管理简单等优点，经济效益和环境效益明显。 关键词：多晶硅废水；水解酸化一厌氧一两级接触氧化工艺；CODc， 中图分类号：X703 文献标识码：A 文章编号：1672—5425(2012)12—0086—03 江西九江某太阳能多晶硅片生产企业的硅片清洗 及生活污水处理规模为3000m3·d～，主要来自切 1．1废水水质 片／开方车间，含有硅粉、碳化硅、聚乙二醇、清洗液和 多晶硅废水经絮凝处理后的水质如下：pH值8～ 500 乳酸等物质，废水的COD白值和SS值较高，卣于聚乙9、CODc，2000～2400mg·L一1、BOD5mg·L一1。 二醇具有一定的生物稳定性[口且其它N、P等营养微 1．2工艺流程 量元素欠缺，导致处理困难o~4]。 生化处理的核心工艺是水解酸化一厌氧一两级接 目前处理多晶硅废水的常规工艺[53为：废水进入 触氧化工艺，处理系统最基本单元是一系列圆形和矩 调节池后曝气均质一氢氧化钠中和一加入PAC以及 形生物反应池，池之间水力相通，反应池设有曝气系 PAM絮凝沉淀一经水解酸化和好氧的生化作用一混 统、生物带，并投加科利尔复合活菌净水剂。利用生物 凝气浮进一步优化出水水质。该工艺存在污泥膨胀、 带的高比表面积及生物易吸附性，在生化系统内保持 需大量补充碳源、处理成本高、工艺控制要求严格等缺 较大规模的生物量，充分利用微生物的降解作用去除 点。 表面活性剂、降解有机物。工艺流程如图1所示，装置 作者在此对该工艺絮凝后出水的生化工艺进行改 主要参数见表1。 进，采用水解酸化一厌氧一两级接触氧化工艺，去除多 絮凝出刊巫巫H亟H匦匦惭皿出水 晶硅废水中CODc，，以期为多晶硅废水的处理提供新 1 囡逍 途径。 图1水解酸化一厌氧一两级接触氧化工艺流程示意图 acidificati时 l 实验 Fig．1Schematicdia矿帅ofhydroIysis anaerobi‘’twolevelcontactoxidatjon 表1 装置主要参数 ． Thb．1 Themain deVjce parame蛔噶Of 收稿日期：2012一07—19 董 1．3主要工艺说明