陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池工艺.pdfVIP

l 第34卷 增刊l 稀有金属材料与工程 v01．34，Suppl JLIIIe2005 2005年 6月 RAREMET^LMATERIALSANDENGINEER斟G 陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池工艺 万之坚1，李海峰2，黄勇1，一，张厚兴1，一，张立明1，许颖3，王文静3 (1．清华大学，北京100084) (2．清华大学深圳研究生院，深圳518057) (3．北京市太阳能研究所，北京100083) 摘要：为了大幅度降低成本，真正实现太阳能电池的大规模应用，设计出一种新颖的薄膜电池，即在廉价的陶瓷衬 底上沉积多晶硅薄膜制作的太阳电池。介绍了制作这一电池的完整工艺流程，摸索出合适的工艺参数，解决了在异质 衬底上生长大晶粒多晶硅薄膜和表面电极引出的问题，实验取得了令人满意的结果。 关键词：陶瓷衬底；多晶硅；薄膜电池 174．1 文献标识码：A 中图法分类号：TG 文章编号：1002—185x(2005)sl-0931．03 1 引言 2衬底样品准备 多晶硅薄膜电池的研究已经开展了许多年，人们 2．1陶瓷衬底制备 一直在寻找并研究制备多晶硅薄膜的方法【l】。化学气 采用陶瓷设计和制备工艺制各多晶硅薄膜太阳能 相沉积(cvD)法就是将衬底加热到适当的温度．然电池用陶瓷村底，并经过打磨、抛光、清洗等工艺制 各出表面致密、平整、清洁的样品待用。 后通以反应气体(如siH2c12，siHcl3，sicl4，siH4 等)，在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在衬 陶瓷衬底的性质在很大程度上影响着沉积硅薄膜 的质量。在致密的陶瓷衬底上得到了比较致密的沉积 底表面。这些反应的温度通常较高，在800℃～1200 ℃之间。人们发现，如果直接在非硅底材上用cvD 层，硅薄膜的致密度和晶粒大小与衬底的致密度成正 法沉积多晶硅，较难形成较大的晶粒，并且容易在晶 比。衬底原来具有的晶粒结构对沉积薄膜的质量有影 粒之间形成孔隙，对制备较高效率的电池不利。因此 响，可以形成更加致密和完整的晶粒，但是会在一定 发展了再结晶技术，以提高晶粒尺寸”J。 程度上限制硅晶粒的长大。在和硅晶格比较匹配的衬 Themalchemical 快速热化学气相沉积(Rapid 底材料，如sbN4表面容易形成比较好的硅薄膜。 图l所示为本课题组开发的多晶硅薄膜太阳能电 vaporDeposition，简称RTcvD)工艺广泛应用于微电 子工业，在单晶硅上生长外延多晶硅层。该工艺也可 池用A1203陶瓷衬底电镜照片。 用于在非硅质或多晶硅衬底上沉积厚(约10岬) Poly_si层，以制备太阳能电池【3J。RTcVD制各Poly—si 薄膜的优点：工作温度范围宽(700℃～1300℃)可以 用低成本原料气体siHcl3或者是siH2c12，在短时间 内直接沉积出厚的具有大晶粒的Poly_si薄膜，采用 冷壁式石英反应器，可抑制Poly-si薄膜在器壁上的 沉积。 本文详细介绍了陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池 制各的工艺过程，重点介绍了清华大学材料科学与工 程系和北京市太阳能研