第一章晶体二极管工作原理及应用.pptVIP

第一章 晶体二极管工作原理及应用 1.0 引言 1.1 半导体物理知识 1.2 PN结 1.3 实际二极管的伏安特性 1.4 二极管的模型、参数、分析方法及基本应用 1.5 其它类型的二极管 1.0 引言 1.1半导体物理知识 导体：电阻率小于10-3Ω·cm，很容易导电，称为导体.如铜、铝、银等金属材料； 绝缘体：电阻率大于109Ω·cm，很难导电，称为绝缘体，如塑料、橡胶、陶瓷等材料； 半导体：电阻率在10-3~109Ω?cm，导电能力介于导体和绝缘体之间，例如硅(Si)和锗(Ge)等半导体材料； 半导体材料制作电子器件的原因? 不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是在于半导体材料具有热敏性、光敏性和掺杂性。 半导体材料制作电子器件的原因? 热敏性：半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加。例如纯净锗从20℃升高到30℃时，导电能力增强为原来的2倍； 光敏性：半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性。例如硫化镉薄膜在暗处：电阻为几十MΩ；光照：电阻下降为几十KΩ。 掺杂性：是半导体导电能力因掺入适量的杂质而发生很大的变化。例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼杂质，导电能力增强到原来的几万倍，利用这一特性，可以制造出不同性能不同用途的半导体器件。 1.1.1 本征半导体 1、本征半导体：纯净的半导体单晶。 1.1.1 本征半导体 2、本征激发和两种载流子（P4~5) 计算在室温270C（300K）时硅和锗的本征载流子浓度。 解：Si： Ge： 结论：相同温度下，Ge的导电能力比Si强。 1.1.2 杂质半导体 在室温270C时，Si的本征载流子浓度为1.5×1010cm-3,原子密度为2.4×1022cm-3。只有三万亿分一的原子由于本征激发产生了电子-空穴对。 结论：本征半导体导电能力很弱！ 为了提高半导体的导电能力，并且人为控制半导体材料的导电性，可以采用掺杂技术。 掺杂：将半导体材料中掺入一定量的杂质元素，这样的半导体称为杂质半导体。 杂质半导体可分为：N型半导体和P型半导体。 1、N型半导体（P7~8） ①在四价的本征硅中掺入微量的五价元素（如磷）。 ②磷原子失去一个电子自身成不能移动的带正电荷的离 子，称为施主杂质。掺入一个磷原子就提供一个自由电子。 ③N型半导体中,电子是多子,空穴是少子。 ④整块的半导体仍为中性。 ⑤多子（自由电子）浓度≈施主杂质掺杂浓度。 ⑥根据半导体物理中的热平衡条件： 少子（空穴）浓度： 2、P型半导体（P9） ①在四价的本征硅中掺入微量的三价元素（如硼）。 ②硼原子接受一个电子，成为带负电的离子，称受主杂质；在相邻硅共价键中产生一个带正电的空穴。 ③P型半导体中：空穴是多子；电子是少子。 ④整块的半导体仍为中性。 1.1.3 载流子的运动 半导体中的电子和空穴有两种运动形式。 1、载流子的漂移运动：载流子在外加电场的作用下而产生的定向运动。 2、载流子的扩散运动：由于浓度差而引起的载流子的定向运动。 1、载流子的漂移运动(P12) 1.2 PN结 1.2.1 热平衡情况下的PN结 1.2.2 PN结的伏安特性 1.2.3 PN结的电容特性 1.2.1 热平衡情况下的PN结 1.2.1 热平衡情况下的PN结 2、内建电位差或内建电压：热平衡情况下，PN结的宽度一定，在PN结两端存在的电压。 1.2.2 PN结的伏安特性 伏安特性：PN结的电流和加在它两端的电压的关系。 1.PN结的正向特性 2.PN结的反向特性 1.2.3 PN结的电容特性 若PN结两端加上随时间变化的电压时，PN结还会显示出电容特性，PN结电容有两种类型：一种称为势垒电容，用CB表示；另一种称为扩散电容，用CD表示。 1.3 实际二极管的伏安特性 1.4 二极管的模型、参数、分析方法及基本应用 1.4.1 二极管的开关模型及应用 1.4.2 二极管的恒压模型及应用 1.4.3 二极管的小信号模型 1.4.4 二极管电路的分析方法 1.4.1 二极管的开关模型及应用 1.4.2 二极管的恒压模型及应用 1.4.5 二极管的主要参数 1、最大整流电流IF 指二极管在一定温度下， 长期允许通过的最大正向平均电流。 2、最大反向峰值电压VRM 管子反向击穿时的电压值称为反向击穿电压VBR。 一般手册上给出的最高反向工作电压VRM约为反向击穿电压的一半。 1.5 稳压二极管 1.5.1 稳压二极管 1.5.2 光电二极管 1.5.3 发光二极管 1.5.4 光隔离器件 1.5.5 变容二极管 ①反向击穿类型： 电击穿 热击穿 ②反向击穿原因： 齐纳击穿：