射频辅助N掺杂ZnO薄膜的生长及其光电特性.pdfVIP

第29卷第2期 发 光 学 报 VoL29 No．2 2008年4月 CHINESE OFLUMINESCENCE JoURNAL Apr．，2008 文章编号：1000-7032(2008)02-0299-05 射频辅助N掺杂ZnO薄膜的生长及其光电特性 苏剑峰，姚 然，钟 泽，傅竹西+ (中国科学技术大学物理系，安徽合肥230026) 摘要：在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置，通过裂解N2及N．AI共掺杂的方法进行ZnO的P型 析了薄膜中N杂质的浓度，以及射频功率与晶体质量、表面形貌以及光学特性之间的关系，并与Al掺杂和N 掺杂的ZnO薄膜进行对比。实验结果表明，N掺杂的浓度高达10”cm～；N—AI共掺杂极大地增加了ZnO的 成核速率，其主要原因是N离化所起的作用；N．AI共掺的ZnO薄膜显示出P型性质，而N掺杂的ZnO薄膜由 于N原子处于非激活状态而呈现高阻，这说明N·AI共掺杂对ZnO中N原子的活化起到一定作用。 关键词：金属有机化学气相沉积；射频辅助；N离化；N-AI共掺杂 中图分类号：0482．31PAcC：3250F；7855文献标识码：A 现了ZnO的高浓度N掺杂；然后进一步引入Al 1 引 言 源，研究Al对ZnO中N原子活化性能的同时，发 P型ZnO薄膜制备是目前国际上研究的热现N离化对ZnO的结晶质量，表面形貌和光电性 点，由于自补偿效应以及马德隆能带来的单极性 质有很大影响，本文就这一点展开讨论。 等各方面的因素…，使其成为一个非常难于攻克 2 实 验 的课题。最近有很多利用不同元素掺杂得到P型 ZnO的报道【2—7J，在这些工作中，最广泛采用的掺 设备参考文献[11]。改造后的ZnO反应室 拉近了等离子辅助部分与衬底之间的距离，在一 杂元素是V族的N，研究表明，N作为ZnO的一种 定程度上加强了射频辅助作用。zn(c：H5)：和 受主杂质，与P、As相比，它的电离能最浅，掺杂 CO：为生长源，高纯N：为载气和N掺杂源，TMA 伴随产生的深能级缺陷AX(即O—N键)最不稳 作Al掺杂源，石英玻璃作衬底，反应室压强100 定，易消除。但是，N掺杂仍有很多困难，如纯氮 Pa。生长过程：在衬底温度升到预定温度时，引入 掺杂时受主No会被相应的施主缺陷补偿【8J、N Zn源和O源，对本征ZnO，生长时间持续40min； 在ZnO中的固溶度不高、处于钝化状态的N—N、 对三种不同掺杂的样品，在引入生长源10rain后 N—H等起不到受主作用等。为了解决这些问 再引入掺杂源，然后生长30min，目的是引入缓冲 题，诸如共掺杂理论旧J、射频等离子源激活、N：O 层，提高ZnO结晶质量。具体各个样品的工艺条 源等方案被尝试并取得了一定的效果，这样得到 件列于表l中。利用18kW转靶x射线衍射仪 的质量较好的P型ZnO：N薄膜的载流子浓度达