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第29卷第2期 发 光 学 报 VoL29 No.2
2008年4月 CHINESE OFLUMINESCENCE
JoURNAL Apr.,2008
文章编号:1000-7032(2008)02-0299-05
射频辅助N掺杂ZnO薄膜的生长及其光电特性
苏剑峰,姚 然,钟 泽,傅竹西+
(中国科学技术大学物理系,安徽合肥230026)
摘要:在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N.AI共掺杂的方法进行ZnO的P型
析了薄膜中N杂质的浓度,以及射频功率与晶体质量、表面形貌以及光学特性之间的关系,并与Al掺杂和N
掺杂的ZnO薄膜进行对比。实验结果表明,N掺杂的浓度高达10”cm~;N—AI共掺杂极大地增加了ZnO的
成核速率,其主要原因是N离化所起的作用;N.AI共掺的ZnO薄膜显示出P型性质,而N掺杂的ZnO薄膜由
于N原子处于非激活状态而呈现高阻,这说明N·AI共掺杂对ZnO中N原子的活化起到一定作用。
关键词:金属有机化学气相沉积;射频辅助;N离化;N-AI共掺杂
中图分类号:0482.31PAcC:3250F;7855文献标识码:A
现了ZnO的高浓度N掺杂;然后进一步引入Al
1 引 言
源,研究Al对ZnO中N原子活化性能的同时,发
P型ZnO薄膜制备是目前国际上研究的热现N离化对ZnO的结晶质量,表面形貌和光电性
点,由于自补偿效应以及马德隆能带来的单极性 质有很大影响,本文就这一点展开讨论。
等各方面的因素…,使其成为一个非常难于攻克
2 实 验
的课题。最近有很多利用不同元素掺杂得到P型
ZnO的报道【2—7J,在这些工作中,最广泛采用的掺 设备参考文献[11]。改造后的ZnO反应室
拉近了等离子辅助部分与衬底之间的距离,在一
杂元素是V族的N,研究表明,N作为ZnO的一种
定程度上加强了射频辅助作用。zn(c:H5):和
受主杂质,与P、As相比,它的电离能最浅,掺杂
CO:为生长源,高纯N:为载气和N掺杂源,TMA
伴随产生的深能级缺陷AX(即O—N键)最不稳
作Al掺杂源,石英玻璃作衬底,反应室压强100
定,易消除。但是,N掺杂仍有很多困难,如纯氮
Pa。生长过程:在衬底温度升到预定温度时,引入
掺杂时受主No会被相应的施主缺陷补偿【8J、N
Zn源和O源,对本征ZnO,生长时间持续40min;
在ZnO中的固溶度不高、处于钝化状态的N—N、
对三种不同掺杂的样品,在引入生长源10rain后
N—H等起不到受主作用等。为了解决这些问
再引入掺杂源,然后生长30min,目的是引入缓冲
题,诸如共掺杂理论旧J、射频等离子源激活、N:O
层,提高ZnO结晶质量。具体各个样品的工艺条
源等方案被尝试并取得了一定的效果,这样得到
件列于表l中。利用18kW转靶x射线衍射仪
的质量较好的P型ZnO:N薄膜的载流子浓度达
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