微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体.pdfVIP

2014 年12 月 伊犁师范学院学报（自然科学版） Dec. 2014 第 4 期 何晓燕等：微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体 63 第8 卷 第4 期 Journal of Yili Normal University （Natural Science Edition ） Vol.8 No.4 微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体 何晓燕，王兴磊，张 艺，吕春友，欧阳艳* （伊犁师范学院 化学与生物科学学院 ，新疆凝聚态相变与微结构重点实验室，新疆 伊宁 835000 ） 摘 要：基于碳热还原法制备碳化硅的原理，针对该方法合成成本高，反应时间长，所用设 备昂贵，合成条件苛刻等缺陷. 利用微波的良好加热性能，采用微波辅助碳热还原法制取碳化硅 粉体. 经实验表明，最优条件为：锌粉作催化剂，碳硅原子比为 4 ∶1，微波功率 800W，微波时 间 30min. 该方法制备的碳化硅为 3C-SiC 晶型，晶粒粒径相对较小. 微波辅助碳热还原法具有成 本低、产量大、反应时间短、尺寸相对较小，具有工业化应用的前景. 关键词：碳化硅；微波辅助；碳热还原 中图分类号：TF841.3 文献标识码：A 文章编号：1673—999X （2014 ）04—0045—03 的硅源和碳源气体，合成条件苛刻. 这种苛刻的合 1 引言 成条件极大地限制了SiC纳米材料工业化生产以及 SiC半导体材料是继第一代半导体材料（Si）和 应用. 而工业上制备碳化硅通常采用碳热还原的方 第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP 、InP等）之 法，即将粉状的碳和二氧化硅直接混合，然后加热 ［ ］ 后发展起来的第三代宽带隙半导体材料，具有独特 到2000 ℃ 10 以上反应形成碳化硅，总反应方程式 的电学、光学及力学等性能，同时具有宽禁带间隙、 为SiO2 （s ）+3C （s ）→SiC （s ）+2CO （g ），方法 大的击穿电场、高的热导率，以及高的电子饱和漂 简单，原理明确，但实验条件也很难达到. 微波加 移速度等特点，使其在高温、高频、高功率和抗辐 热是利用分子内部运动加热，无需依赖热扩散使其 射等极端环境下工作的光电子器件制备方面有着 温度升高，同时可以实现被加热体整体快速地加 不可估量的的应用潜力和发展前景. 而且，近几年 热，无热滞后现象. 运用微波辅助碳热还原制备碳 来，还有人利用碳化硅的高比强度和比刚度，良好 化硅可使SiC生产变得简单、省时、快速，对碳化 的耐磨性、尺寸稳定性，以及低的热膨胀系数等优 硅的大规模批量生产应用具有重要的意义. 异的力学性能和物理性能，且制备加工成本低，做 2 实验部分 碳化硅颗粒增强铝基（SiC ）复合材料，在汽车、 电子、军事、航空航天等领域具有广泛的应用前景， 2.1 实验仪器 引起了研究者的极大关注. 因此，研究碳化硅（SiC） 本实验所采用的设备主要包括Midea 及碳化硅（SiC ）纳米线合成、结构和性能具有重 TG025LC7-NRH 型微波炉、FA2104 电子天平. 要意义[1-10]. 2.2 试剂与原料 传统SiC纳米材料制备，不仅要求的合成温度 化学试剂包括硅源：二氧化硅、活性碳粉、锌 较高，反应设备昂贵，而且反应过