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第34卷第6期 人 工 晶 体 学 报 V01．34No．6
2005年12月 JOURNAL0FSYNTHETICCRYSTALS
廖学明，唐为民
(漳州师范学院物理与电子信息工程系，漳州363000)
并且在室温无磁场的环境中观察到由脉冲电压诱导其电阻可逆变的效应(称为EPIR效应)。实验证实，用此方法
制备出的PcMO薄膜受到一定的脉冲电压驱动时，其电阻值可以增大，也可以减少，与所施加的脉冲极性有关，并
且电阻值变化的大小与脉冲的数量有一定的关系，可以用多值的方式来记录和存储信息。这表明，用光辅助
M0cVD制作的PcM0薄膜也具有可擦可写的，多值的存储信息的功能。可以被开发为高速读写，大容量的非易失
性存储器，具有广阔的应用前景。
关键词：PCM0薄膜；光辅助；MOcVD
中图分类号：0447 文献标识码：A
PCMoFilm thePhoto-assistedMoCVD
Synthesizedby
L，AD
X瑚-mi，曙，7’AⅣG’％i—m流
0f aIldElectmnicInf0瑚ation
Physics Engineedng，zhangzhouTeachers’college，zhangzhou363000，China)
(Depanment
(船∞i删14几咖2005)
6lmswere on
Abstract：Pr-Ca—Mn—O(PCMO)thin
successfullydeposited
LA0substrates MOCVD electricalinducedresistance
byphoto—assisted(PhA—MOCVD)．Thepulse
wasobservedinthefilmsatroom underthezero 6eld．The
change(EPIR)e归fect temperature magnetic
thinfilmresistanceeanincreaseanddecreaseafterelectricalare toit．The is
pulsesapplied change
onthe andthenumberof This showsthat MOCVD
dependantpulsepolarity pulses． study photo-assisted
beusedtofabricaterewritablePCMOEPIRdeviees．
(PhA—MOCVD)can
thin
Keywords：PCM0film；photo．assisted；MOCVD
1 引 言
化的效应…具有许多优良的性能：如驱动能量小、反应时间短、电阻率变化大等特点，而且电阻值的变化不
仅与脉冲的极性有关也与脉冲的数量有关，可以用多值的方式来记录和存储信息。可以将它开发为高容量、
高速度、可读可写的非易失性存储器，其应用前景已经引起工业界的注意和投入。
MOCVD是工业界用来制造半导体材料的常用方法，它具有高效率、高质量的优点，然而，制造材料过程
MOcVD制备出的PcMO薄膜也具有EPlR
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