半导体励磁系统的保护幻灯片.pptxVIP

5.3 半导体励磁系统的保护5.3.1 过电压及其抑制5.3.2 过电流保护5.3 半导体励磁系统的保护整流装置中的硅元件（硅整流元件及可控硅元件）是半导体励磁装置中的重要器件。为了保证它们安全可靠地长期运行，除了提高硅元件的产品质量，正确选择硅元件的参数，留有一定的裕度外，还必须在装置中适当地采用保护措施。因为硅元件承受过电压和过电流的能力较差，可控硅元件承受正向电压上升率和电流上升率有一定的限度，发电机励磁绕组的绝缘只有一定的耐压水平。如不采取适当的保护和抑制措施，运行中就有可能超过容许范围，损坏半导体励磁系统中的有关部件。为此必须熟悉硅元件本身的标准定额，了解装置所在的电路中引起过电压、过电流以及电压上升率、电流上升率过高的原因和危害，对可控硅元件本身在开通和关断过程中，在电路中引起的暂态过程，需要进行分析和试验。而对于担任抑制和保护功能的器件，必须熟悉其性能参数，并力求选用最简单有效的保护方式，协调工作。由于这方面的影响因素比较复杂，必须将理论分析与试验数据结合，正确地设计保护方式和抑制电路，合理地配备和选用保护器件。5.3 半导体励磁系统的保护5.3.1 过电压及其抑制1．过电压的来源■ 过电压分为外因过电压和内因过电压两类。 ■ 外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因。◆ 操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起的过电压。◆ 雷击过电压：由雷击引起的过电压。■