高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管.pdf

2017 年 12 月 电 工 技 术 学 报 Vol.32 No. 24 第 32 卷第 24 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Dec. 2017 DOI: 10.19595/ki.1000-6753.tces.170178 高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管 1 2 2 2 3 蒋梦轩 帅智康 沈 征 王 俊 刘道广 （1. 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室（重庆大学） 重庆 400044 2. 湖南大学电气与信息工程学院 长沙 410082 3. 清华大学核能与新能源研究院 北京 100084 ） 摘要 在前期高速绝缘栅双极晶体管（IGBT ）的基础上提出一种高速集电极沟槽绝缘栅双极 晶体管（CT-IGBT ）。该器件沟槽集电极与漂移区的内建电势差感应形成电子沟道而加快关断速度， 且集电极沟槽具有不同于传统电场截止层（FS ）的电场截止机制，并引入低浓度N 型层以降低集 电极沟槽对空穴注入的抑制作用。硅基材料有限元仿真结果表明，新结构CT-IGBT 的关断下降时 间比传统沟槽FS-IGBT 少 49% ，且前者耐受的雪崩能量比后者高 32% 。因此，新结构 CT-IGBT 具有比FS-IGBT 更优越的关断速度和强度，可应用于大功率高速电力电子系统。 关键词：绝缘栅双极晶体管 电场截止 关断下降时间 雪崩能量 强度 中图分类号：TM46 A Novel Fast Collector Trench Insulated Gate Bipolar Transistor Jiang Mengxuan 1 Shuai Zhikang2 Shen Zheng2 Wang Jun2 Liu Daoguang3 （1. State Key Laboratory of Power Transmission Equipment System Security and New Technology Chongqing University Chongqing 400044 China 2. College of Electrical and Information Engineering Hunan University Changsha 410082 China 3. Institute of Nuclear and New Energy Technology Tsinghua University Beijing 100084 China ） Abstract This paper proposes a novel collector trench insulated gate bipolar transistor (CT-IGBT) with an electron extraction channel formed on the collector side to enhance the electron extraction effect, in which a low doped n-type layer is introduced to increase hole injection efficiency at the collector side. TCAD simulation indicates that the proposed IGB