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COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD Cmi, Complex Micro Interconnection Co.,Ltd 制程介紹 * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 裁剪： 目的：依工程資料要求整捲原材料裁切成符合生產work panel。 銅箔：Min：100 mm ±1mm Max：500 mm ±1mm 覆膜：Min：30 mm ±0.5mm Max：500 mm±0.5mm * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 蝕薄銅： 目的：作為單面板整捲表面處理或雙面板全面性銅箔微 蝕,可把銅厚18um微蝕成9um。 微蝕能力：5 um ± 2um 9 um ± 3um * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 黑孔： 目的 :為使雙面銅面鑽孔後,使用Carbon 附著於孔壁,以便後製程電鍍銅導 通功能 最小孔 :雙面板:0.1mm 結合板:0.3mm 多層板:0.35mm 附著厚度 : 2 um ± 1um * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 鍍銅： 目的：以硫酸銅電鍍的方式將 銅附於銅面與孔壁上， 作層與層的導通 最小孔： 雙面板：0.15 mm 結合板：0.3 mm 多層板：0.35 mm 附著厚度：15 um ± 3 um * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 壓膜前處理： 目的：鍍銅後乾膜壓合前 的銅面粗化處理 微蝕厚度：1 um ± 0.5 um * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 壓膜： 目的：將乾膜平壓於銅材上，作為線 路轉移及蝕刻阻蝕作用 * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 線路曝光： 目的：將底片上的線路透過UV 光源照射轉移在乾膜上 曝光能力：50 um ± 3 um 偏移度：Max：0.1mm * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 顯影： 目的：作為曝光首件之能量確認 及感光油墨的顯影 顯影:最小線寬線距為1mil * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 線路蝕刻： 目的：將未阻蝕部份去除，蝕去不 需要銅箔，留下所需線路 線寬/線距： S/S Min: 4 mil * 4 mil D/S Min: 5 mil* 5mil 公差： ± 0.03 mm * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 顯影 /蝕刻/剝膜 乾膜完成顯像 完成蝕刻 完成剝膜出現銅線路 將不要銅箔顯現 將不要銅箔去除 將殘留乾膜去除 * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 覆膜預貼： 目的：將沖型完的覆膜與蝕刻後的銅 箔作對位預貼固定，作為線路 之solder mask 貼合偏移 ：0.15mm~0.5mm * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 覆膜壓合： 目的：應用適當溫度、壓力、時間， 將覆膜壓牢於銅箔上，作為 線路之solder mask 流膠量 : 膠厚25um以下：0.1mm 膠厚35um：0.15mm 預貼,快壓,烘烤 * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 全自動沖孔機： 目的：針對端子部份成型偏移要求 小於0.1mm的製品,使用沖孔 機將成型孔位沖出來,可確 保圖形與孔位達到1比1的狀 態 * COMPLEX MICRO INTERCONNECTION CO., LTD 酸洗磨刷： 目的：對於壓合或沖孔後之 製品,使用刷輪清除表面 的氧化與雷射炭渣，作為 焊面處理前的準備 * COMPLEX MICRO I